[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件在审
申请号: | 201911133047.4 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN111211187A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 佐佐木学 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 电池 太阳能电池 组件 | ||
太阳能单电池(10)包括半导体衬底(20),该半导体衬底具有相对于一个面方位角度为1度以上且45度以下的第1主面(21),第1主面(21)为具有相互正交的长轴(23)和短轴(24)的长方形。
技术领域
本发明涉及太阳能单电池和太阳能电池组件。
背景技术
由于太阳能电池将清洁且取之不尽地供给的太阳光直接转换为电能,所以作为新的能源被受期待。
专利文献
专利文献1:日本特开2010-34160号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
期望进一步提高太阳能电池的发电特性。本发明的目的在于,提供具有提高的发电特性的太阳能单电池和太阳能电池组件。
用于解决问题的技术方案
本发明的一个方式的太阳能单电池包括:半导体衬底,该半导体衬底具有相对于一面方位的角度为1度以上且45度以下的第1主面,上述第1主面为具有相互正交的长轴和短轴的长方形。
另外,本发明的一个方式的太阳能电池组件使用了所述记载的太阳能单电池。
发明效果
根据本发明,能够提供具有提高的发电特性的太阳能单电池和太阳能电池组件。
附图说明
以下,在本发明中,结合说明本发明的具体实施方式的附图,本发明的这些和其它目的、优点和特征将变得显而易见。
图1是表示实施方式的太阳能单电池的结构的截面图。
图2是表示实施方式的太阳能单电池的结构的受光面侧的俯视图。
图3是表示实施方式的半导体晶片的结构的受光面侧的俯视图。
图4是表示实施方式的半导体晶片的结构的截面图。
图5是表示形成了实施方式的纹理结构的半导体晶片的结构的截面图。
图6是表示实施方式的纹理结构的受光面侧的俯视图。
图7是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的流程图。
图8是实施方式的半导体胚料(ingot)的外观立体图。
图9是表示实施方式的半导体胚料的切片工序的图。
图10是表示现有例的半导体胚料的切片工序的图。
图11是表示实施方式的变形例的半导体胚料的切片工序的图。
图12是表示实施方式的太阳能电池组件的结构的截面图。
图13是表示实施方式的太阳能电池组件的结构的受光面侧的俯视图。
具体实施方式
以下,使用附图对本发明的实施方式的太阳能单电池和太阳能电池组件进行详细说明。以下说明的实施方式是均表示本发明的优选的一个具体例的实施方式。因此,以下的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、构成要素的配置、连接方式和工序的顺序等为一例,不是限定本发明的宗旨。因此,以下的实施方式中的构成要素中,将表示本发明的最上位概念的独立权利要求中未记载的构成要素作为任意的构成要素进行说明。
各图是示意图,不是必须严格地图示的图。另外,在各图中,对相同的构成部件标注相同符号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的