[发明专利]一种超高温陶瓷改性C/C复合材料的制备方法有效
申请号: | 201911134012.2 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110803942B | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 孙威;徐永龙;熊翔 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C04B41/87 | 分类号: | C04B41/87 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 钟丹;魏娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高温 陶瓷 改性 复合材料 制备 方法 | ||
本发明公开了一种超高温陶瓷改性C/C复合材料的制备方法,将C/C复合材料预制体,通过反应熔渗处理获得超高温陶瓷改性C/C复合材料;所述反应熔渗处理时,以包含反应性熔盐的熔渗粉体作为熔渗原料,所述熔渗粉体由Zr‑Si混合粉料,K2ZrF6粉末,碱金属盐组成;本发明首创的以反应性熔盐作为熔渗原料,采用熔盐法结合反应熔渗在C/C基体内部实现两步法熔渗,并反应形成超高含量ZrC陶瓷的C/C‑UHTCs复合材料,其中ZrC在基体中的含量≥83%;抗烧蚀性能大幅提升。
技术领域
本发明涉及一种超高含量ZrC的超高温陶瓷改性C/C复合材料的制备方法;属于耐高温复合材料制备技术领域。
背景技术
超高温陶瓷改性C/C复合材料(Cf-UHTCs复合材料)相对比C/C或C/SiC材料具有优秀的高温抗氧化、抗烧蚀性能,同时还具有良好的断裂韧性、抗热震性能,是极佳的航空航天用热结构材料之一。
现今Cf-UHTC复合材料的制备方法较多,如前驱体浸渍裂解(PIP)、反应熔渗(RMI)、浆料熔渗(SI)、原位反应,热压(HP)、溶胶-凝胶等。在众多方法中,RMI法依托低熔点的合金熔体熔渗多孔C/C复合材料,可实现Cf-UHTC复合材料的快速、低成本和近净成形制备,适用于工业化生产。然而RMI制备的Cf-UHTC复合材料中超高温陶瓷含量也受熔体与基体的反应程度、熔体熔渗深度、特别是熔体中超高温金属原子比例等一些列因素影响,具有局限性。以RMI法C/C-ZrC-SiC复合材料为例(简称ZS),RMI法制备ZS材料一般采用低熔点Zr-Si合金熔渗,低熔点Si系合金熔体中Si比例较高,复合材料中最终SiC含量也较高。在极端气动热环境中,高含量SiC可持续提供SiO2自愈合防护作用,而ZrC则可实现框架或钉扎作用,减少SiO2急剧耗散。这种比例的的ZS材料非常适用于空天热气动构件。但是对于一些高温贫氧环境中使用的航空航空部件,如燃气舵或火箭发动机喉衬,这些热结构件需在短时间内承受超高温火焰冲刷以及高温粒子冲蚀。高含量SiC会加剧主动氧化以及快速耗散导致材料结构损伤,并不利于此类条件下应用。因此,针对极端高温贫氧环境中使用的关键热结构材料设计,必须尽量减少材料中SiC及低熔合金相比例,同时大幅度提高超高温陶瓷含量。
但受限于RMI方法缺陷:采用纯金属粉末或合金熔渗,熔渗温度过高(2000℃),基体中纤维损伤严重,材料力学性能下降明显;采用低熔合金如Zr-Si或Hf-Si等合金可降低熔渗温度,但合金熔体与C基体反应后在基体内部形成大量SiC和残留少量未反应低熔点合金相,并不利于极端高温贫氧环境应用。而降低合金中Si比例,材料的熔点和粘度也随之上升,合金的熔渗难度加剧。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种工艺简单、操作方便、快速成型、可制备超高含量ZrC的C/C-UHTCs复合材料的方法。本发明制备的超高含量ZrC的Cf-UHTCs复合材料,尤其适合应用作为极端高温、贫氧、抗烧蚀、抗粒子冲刷等要求的超高温结构部件。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明一种超高温陶瓷改性C/C复合材料的制备方法,将C/C复合材料预制体,通过反应熔渗处理获得超高温陶瓷改性C/C复合材料;所述反应熔渗处理时,以包含反应性熔盐的熔渗粉体作为熔渗原料,所述反应性熔盐为K2ZrF6粉末。
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