[发明专利]封装方法、面板组件、晶圆封装体以及芯片封装体

说明书

一种半导体器件封装方法、面板组件、晶圆封装体以及半导体芯片封装体。该半导体器件封装方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；切割所述至少一个晶圆以形成多个裸片，对所述至少一个晶圆进行扩张以使所述多个裸片彼此分离；以及在扩张后的所述至少一个晶圆的侧面以及所述多个裸片之间的间隔形成围绕所述晶圆的每个裸片的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件。根据本公开实施例的方案可以使得芯片封装体中的裸片侧面得到保护而不受外界环境侵害。

技术领域

本公开的实施例涉及一种半导体器件封装方法、面板组件、晶圆封装体以及半导体芯片封装体。

背景技术

近年来，随着电子设备小型轻量化以及信息处理量需求增大，小型量轻、运行速度快的芯片成为市场主流需求。芯片级封装CSP(Chip Scale Package)由于体积小，厚度薄，芯片产生的热可以通过很短的通道传导到外界、芯片长时间运行的可靠性高、线路阻抗小以及芯片运行速度快等优势，成为最先进的集成电路封装形式。因此，CSP封装芯片在电子设备中迅速获得应用。

晶圆级芯片尺寸封装(wafer level CSP)是在单个晶圆(wafer)的活性面通过例如甩光胶、光刻、显影、溅射、电镀以及剥膜等工艺形成导电层。在导电层上形成介电层，并将形成导电层和介电层后的晶圆分割成单粒芯片完成封装。

发明内容

根据本公开的至少一个实施例提供一种半导体器件封装方法，包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆包括彼此相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的侧面，所述第一面为活性面；切割所述至少一个晶圆以形成多个裸片，对所述至少一个晶圆进行扩张以使所述多个裸片彼此分离；以及在扩张后的所述至少一个晶圆的侧面以及所述多个裸片之间的间隔形成围绕所述晶圆的每个裸片的连接部，以使所述晶圆与所述连接部形成一面板组件，所述连接部包括与所述晶圆的第一面位于同一侧的第三面和与所述晶圆的第二面位于同一侧的第四面，所述第三面与所述第一面形成所述面板组件的待处理面。

在一些示例中，提供多个晶圆且所述多个晶圆在所述面板组件中彼此分隔。

在一些示例中，所述方法还包括在所述面板组件的待处理面上形成功能层以至少覆盖所述晶圆的第一面。

在一些示例中，形成所述功能层包括形成导电层。

在一些示例中，形成所述导电层包括：在所述晶圆的第一面上形成有效导电层以及在位于所述晶圆外围的所述连接部的第三面上形成虚设导电层。

在一些示例中，所述虚设导电层至少形成在围绕所述晶圆的环状区域内，且所述环状区域的宽度大于5mm。

在一些示例中，在形成所述导电层之前，在所述晶圆的第一面上形成第一介电层。

在一些示例中，形成所述连接部包括：在扩张后的所述晶圆的侧面和第二面以及所述多个裸片之间的间隔形成连接部，且所述连接部一体形成。

在一些示例中，形成所述连接部包括：将扩张后的所述晶圆放置于一载板上，且所述晶圆的第一面朝向所述载板；在所述载板和扩张后的所述晶圆上形成塑封层，以使所述塑封层包裹所述晶圆的侧面和所述第二面并填入所述多个裸片之间的间隔；以及将所述载板分离，以使所述面板组件的待处理面露出。

在一些示例中，在将所述载板分离之前，研磨所述塑封层远离所述晶圆的一侧，以使所述塑封层的位于所述晶圆的第二面的部分具有预定厚度。

在一些示例中，形成所述连接部包括：将扩张后的所述至少一个晶圆放置于一载板上，且所述晶圆的第二面朝向所述载板，将具有贯通的开口的型腔模放置于所述载板上，以使所述晶圆位于所述开口内，在所述开口的侧壁与所述晶圆的侧面之间的缝隙以及所述裸片之间的间隔形成固定材料以使所述晶圆与所述型腔模连接在一起。