[发明专利]一种加热装置在审
申请号: | 201911135332.X | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN112908885A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 李生骄 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 加热 装置 | ||
1.一种加热装置,其特征在于,包括:
用于加热待加热物的第一腔室、与所述第一腔室围设成封闭空间的封闭罩、与所述封闭罩连通的抽气结构,所述封闭罩上设有多个抽气孔,所述抽气结构用于经由所述多个抽气孔抽取所述第一腔室内的气体。
2.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述封闭罩包括用于与所述抽气结构连通、且具有第二腔室的封闭罩本体,与所述第二腔室围设成封闭空间的盖板,所述盖板上设有所述多个抽气孔。
3.根据权利要求2所述的加热装置,其特征在于,所述盖板包括中心区域、围绕所述中心区域的第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域;
所述多个抽气孔包括设置在所述中心区域的第一抽气孔、设置在所述第一区域的第二抽气孔、设置在所述第二区域的第三抽气孔。
4.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第二抽气孔为多个,多个所述第二抽气孔等间隔设置。
5.根据权利要求3所述的加热装置,其特征在于,所述第三抽气孔为多个,多个所述第三抽气孔等间隔设置。
6.根据权利要求5所述的加热装置,其特征在于,所述第三抽气孔的个数大于所述第二抽气孔的个数,所述第二抽气孔的个数大于所述第一抽气孔的个数。
7.根据权利要求1至6任一项所述的加热装置,其特征在于,所述抽气结构为多个,每个所述抽气结构均对应一个或多个所述抽气孔。
8.根据权利要求1至6任一项所述的加热装置,其特征在于,所述抽气孔呈圆状。
9.根据权利要求1所述的加热装置,其特征在于,所述加热装置还包括杂质检测机和控制系统;
所述控制系统控制所述杂质检测机对所述封闭罩进行杂质检测,并在所述杂质检测机检测到所述封闭罩上的杂质含量超过预设阈值时,控制所述抽气孔打开。
10.根据权利要求9所述的加热装置,其特征在于,还包括待加热物检测机,所述待加热物检测机用于检测所述待加热物的种类,并根据所述待加热物的种类确定所述待加热物加热后的残留物在所述封闭罩上的附着位置;
所述控制系统还控制打开在所述附着位置预设范围内的抽气孔,关闭其他位置的抽气孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造