[发明专利]一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法

权利要求书

1.一种批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.在无机材质衬底上旋涂聚合物电子胶，在电子胶上曝光和显影沿垂直衬底方向制备出圆柱状结构；

S2.在电子胶上沉积一层硫系薄膜，以硫系材料填充的圆柱状结构为中心，曝光并刻蚀出盘状结构；

S3.通过除胶剂去除聚合物电子胶，获得悬空微盘结构；

S4.对微盘结构进行热回流提升品质因子。

2.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的无机材质为硅、锗、石英、氧化硅、蓝宝石、碳化硅中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的曝光方式采用电子束或无掩膜曝光，刻蚀为等离子体干法刻蚀或湿法腐蚀。

4.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的聚合物电子胶为聚甲基丙烯酸酯PMMA，电子胶的厚度大于等于300nm，不超过2μm。

5.根据权利要求1所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的硫系薄膜为硫化砷As-S、硒化砷As-Se、锗砷硒Ge-As-Se、砷碲硒As-Te-Se、锗砷硫Ge-As-S、锗锑硒Ge-Sb-Se、锗锑硫Ge-Sb-S中的任意一种。

6.根据权利要求5所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的圆柱状结构的深度范围为300nm-42μm，直径≥200nm；硫系薄膜厚度至少大于圆柱状结构深度50nm，厚度范围为0.354μm-5μm；沉积方式为热蒸镀、电子束蒸镀或磁控溅射，沉积速度不超过5nm/分钟。

7.根据权利要求5所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的盘状结构的直径大于圆柱形结构的直径；盘状结构为对称性圆形或非对称结构。

8.根据权利要求1至7任一项所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的除胶剂为丙酮。

9.根据权利要求8所述的批量化高品质因子硫系悬空微盘制备方法，其特征在于，所述的回流温度根据硫系薄膜组分确定，范围是180-300度；升温速度不超过10度/分钟；回流时间为0.5-24小时。