[发明专利]一种柔性量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明公开一种柔性量子点发光二极管，属于发光二极管技术领域，包括依次层叠设置的透明基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入/传输层和阴极，所述透明基底与电源的正极相连，所述阴极与电源的负极相连；所述阳极的厚度为180nm；所述空穴注入层的厚度为35‑45nm；所述空穴传输层的厚度为40‑45nm；所述量子点发光层的厚度为20‑30nm；所述电子注入传输层的厚度为40‑60nm；所述阴极的厚度为100‑150nm。本发明使用PBO封装和保护铜纳米线网络，作为柔性衬底并嵌埋铜纳米线，PBO/铜纳米线复合结构薄膜，善了铜纳米线柔性基底的易氧化性、高表面起伏度的缺点。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，特别涉及一种铜纳米线透明电极填充PBO的柔性量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

在未来的电子产品中，所有的设备组件将被无线连接到作为信息输入和/或输出端口的显示器上。因此，消费者对下一代消费电子产品信息输入/输出功能的需求，导致了对柔性和可穿戴显示器的需求将会越来越大。在众多下一代发光显示器设备中，量子点发光二极管(QLEDs)具有独特的优势，如色域宽、纯度高、亮度高、电压低、外观极薄等。柔性显示器由于其在移动和可穿戴电子产品(如智能手机、汽车显示器和可穿戴智能设备等)的潜在应用前景，而受到了极大的关注。柔性显示器具有薄、轻、不易破碎的特点，且形状可变，能在曲面上使用。

随着智能穿戴技术进步，柔性电子器件得到了广泛关注，开发一种高透过率、高导电率的柔性透明电极迫在眉睫，当今应用最多且技术非常成熟的氧化铟锡(Indium TinOxide，ITO)透明电极因其固有的脆性已无法兼容未来的柔性电子技术。高导率的柔性透明电极(Transparent Electrode)迫在眉睫，铜纳米(CuNWs)作为透明导电层,具有良好的光透过性、导电性、柔性以及低成本等特点,受到了研究者及工业界的广泛关注。然而它的存在一些制作器件上面的短板，一是它极易与空气氧化变成氧化铜；二是它的铜纳米线网络中间有很多间隙，直接功能层的薄膜会出面薄面不平整的问题，薄膜表面不平整器件会有漏电流的产生，存在漏电流，会导致器件的效率、亮度极低，且电流密度非常大，成为制约铜纳米线透明导电薄膜在光电器件领域工业化应用的短板。

发明内容

本发明提供一种铜纳米线透明电极填充PBO的柔性量子点发光二极管及其制备方法，解决现有的铜纳米(CuNWs)作为透明导电层易氧化性、高表面起伏度的问题。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的：

本发明提供了一种柔性量子点发光二极管，包括依次层叠设置的透明基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子注入/传输层和阴极，所述透明基底与电源的正极相连，所述阴极与电源的负极相连；所述阳极的厚度为180nm；所述空穴注入层的厚度为35-45nm；所述空穴传输层的厚度为40-45nm；所述量子点发光层的厚度为20-30nm；所述电子注入传输层的厚度为40-60nm；所述阴极的厚度为100-150nm。

其中，优选地，所述透明基底为聚对苯二甲酸乙二醇酯基底、聚萘二甲酸乙二醇酯基底、聚醚酰亚胺基底基底或聚酰亚胺基底。

其中，优选地，所述阳极为铜/PBO。

其中，优选地，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS。

其中，优选地，所述的空穴传输层为聚乙烯咔唑。

其中，优选地，所述的量子点发光层的量子是CdSe/CdS/ZnS或者ZnCdS/ZnS或者CdSe/ZnS。

其中，优选地，所述的电子注入/传输层为氧化锌、掺镁氧化锌或二氧化钛。

其中，优选地，所述的阴极为铝、银或二者组合构成。

一种柔性量子点发光二极管的制备方法，包括下述步骤：