[发明专利]键合标记的制备方法、晶圆键合方法、键合标记及半导体器件在审
| 申请号： | 201911136266.8 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN110854053A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 毛益平;姬峰;彭翔;王奇伟;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 标记 制备 方法 晶圆键合 半导体器件 | ||
1.一种键合标记的制备方法，其特征在于，所述键合标记的制备方法包括：
步骤S1：在承载晶圆上通过刻蚀形成沟槽；
步骤S2：在沟槽中填充金属；
步骤S3：除去承载晶圆表面的金属，以保留所述沟槽中填充的金属，从而在所述承载晶圆上形成键合标记。
2.如权利要求1所述的键合标记的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述沟槽的深度为80nm～200nm。
3.如权利要求1所述的键合标记的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中所述刻蚀为干法刻蚀。
4.如权利要求1所述的键合标记的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中填充所述金属至填满所述沟槽。
5.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1-4中任一项所述的键合标记的制备方法，在一承载晶圆上形成键合标记；
形成界面键合层覆盖于所述承载晶圆和键合标记的表面上；
提供一器件晶圆，根据所述键合标记将所述器件晶圆和所述承载晶圆对准，并将所述器件晶圆键合到所述界面键合层上。
6.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，通过熔融键合工艺将所述器件晶圆键合到所述界面键合层上。
7.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述承载晶圆和所述器件晶圆均为硅片，所述界面键合层为二氧化硅。
8.如权利要求5所述的晶圆键合方法，其特征在于，在将所述器件晶圆键合到所述界面键合层上之后，还包括：对所述器件晶圆背向所述承载晶圆的表面进行减薄。
9.一种基于权利要求1-4之一所述的键合标记的制备方法制备得到的键合标记。
10.一种基于权利要求5-8之一所述的晶圆键合方法制备得到的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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