[发明专利]用于形成抗PID封装胶膜的组合物、抗PID封装胶膜及太阳能组件

说明书

本发明提供了一种用于形成抗PID封装胶膜的组合物、抗PID封装胶膜及太阳能组件。按重量份计，上述组合物包括：100份基体树脂、0.05～5份金属离子捕获剂以及0.05～5份无机氧化物。金属离子捕获剂的加入可捕获金属阳离子，从而降低游离金属离子的浓度；同时无机氧化物的加入可以改变胶膜内电荷的分布状态，降低胶膜表面电荷迁移率。在基体树脂中加入上述两种组分，同时将三种组分的用量限定在上述范围内能够通过离子捕获剂和无机氧化物的协同作用有效降低光伏组件(尤其是双面电池)中PID现象的发生几率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种用于形成抗PID封装胶膜的组合物、抗PID封装胶膜及太阳能组件。

背景技术

PID(Potential Induced Degradation)即潜在电势诱导衰减，是导致光伏组件功率下降的重要原因。传统的单面电池通过添加特殊的封装胶膜，已经基本实现了组件抗PID现象的要求。然而传统单面电池的抗PID技术无法满足现行双面电池的抗PID要求。因此，开发新的抗PID胶膜，使其能够实现双面电池的抗PID特性，是当前光伏行业亟需解决的重大问题。

现有文献提供了一种抗PID型光伏EVA封装胶膜的制备方法，其通过在装胶膜中添加离子捕获剂，捕获胶膜中的游离金属离子，并阻止其迁移到电池片表面，从而实现胶膜的抗PID功能，其中所述金属离子捕获剂包含：硅铝酸盐、水合氧化物、多价金属酸性盐、金属磷酸盐、五价金属氧化物、六价金属氧化物、7价金属氧化物、黄元酸类、二硫代胺基甲酸盐类衍生物等。

另一篇现有文献提供了一种抗PID型光伏EVA封装胶膜的制备方法，其通过在封装胶膜中添加共交联剂，增加封装胶膜的交联密度，增强封装胶膜对金属离子的阻隔能力，来实现光伏封装胶膜抗PID的效果；其中共交联剂包含：多官能团丙烯酸酯类和(甲基)丙烯酰胺化合物等。

针对传统单面电池，上述方案均能实现抗PID现象的效果。但对于双面电池，采取上述方案后，组件的背面功率衰减较大，导致组件整体的抗PID性能较差。因此，在本领域中，制备一种强抗PID的封装胶膜组合物仍值得深入研究。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种用于形成抗PID封装胶膜的组合物、抗PID封装胶膜及太阳能组件，以解决现有抗PID封装胶膜无法完全解决双面电池制成组件的PID的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种用于形成抗PID封装胶膜的组合物，按重量份计，上述组合物包括：100份基体树脂、0.05～5份金属离子捕获剂以及0.05～5份无机氧化物。

进一步地，按重量份计，上述组合物包括：100份基体树脂、0.2～1份金属离子捕获剂以及0.2～0.5份无机氧化物。

进一步地，100份基体树脂中含金属离子捕获剂和无机氧化物的总量为0.4～1.2重量份。

进一步地，金属离子捕获剂为磷酸盐；优选地，金属离子捕获剂选自磷酸铝、磷酸钛、磷酸锡、磷酸锆和磷酸铋组成的组中的一种或多种。

进一步地，无机氧化物选自氧化钙、氧化镁、氧化硅和二氧化钛组成的组中的一种或多种。

进一步地，基体树脂选自乙烯醋酸乙烯共聚物、低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚乙烯醇缩丁醛、茂金属催化聚乙烯、乙烯辛烯共聚物、乙烯戊烯共聚物、乙烯丙烯酸甲酯共聚物和乙烯甲基丙烯酸甲酯共聚物组成的组中的一种或多种。

进一步地，按重量份计，上述组合物还包括0.5～5份助剂，助剂选自过氧化物类交联剂、抗氧剂、受阻胺类光稳定剂、紫外光吸收剂和增粘剂组成的组中的一种或多种。

本申请的另一方面还提供了一种抗PID封装胶膜，上述抗PID封装胶膜采用上述组合物为原料制得。

本申请的又一方面还提供了一种太阳能组件，太阳能组件包括封装膜，封装膜包括上述抗PID封装胶膜。