[发明专利]一种Ag2

权利要求书

1.一种Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；

以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体以第一吹扫时间吹扫所述反应腔室；

以第二脉冲时间将所述硫源通入所述反应腔室，用所述惰性气体以第二吹扫时间吹扫所述反应腔室；

所述银源与所述硫源在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得硫化银薄膜样品，将所述硫化银薄膜样品在所述反应腔室中的真空环境中冷却至室温，将所述硫化银薄膜样品从所述反应腔室取出。

2.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底包括：硅片、蓝宝石、玻璃。

3.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底、所述反应腔室、所述管路与所述反应源的加热的指定温度范围均为25℃～200℃。

4.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述银源为三甲基膦六氟乙酰丙酮银、新癸酸银、2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸根银、三乙氧基膦银、三乙基膦银、三甲基膦银、乙酰丙酮银。

5.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一脉冲时间的范围为0.01～5S。

6.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一吹扫时间为1～180S。

7.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫源为六甲基二硅硫烷、硫化氢、硫粉、硫化铵。

8.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二脉冲时间的范围为0.01～5S。

9.如权利要求1所述的Ag₂S薄膜的制备方法，其特征在于，所述第二吹扫时间为1～180S。