[发明专利]表面等离激元共振装置及制备方法、吸水量检测系统及方法在审
申请号: | 201911137945.7 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110672562A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 武清锋;翁雨燕;方亮 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G01N21/552 | 分类号: | G01N21/552;G01N21/01;B81C1/00 |
代理公司: | 32412 苏州三英知识产权代理有限公司 | 代理人: | 周仁青 |
地址: | 215001*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面等离激元 高分子薄膜 共振装置 吸水量 金属膜 衬底 高分子水凝胶 等离激元 检测系统 结合表面 湿度环境 湿度指示 无损检测 阵列分布 传统的 湿度计 谐振腔 密闭 共振 硅胶 溶胀 制备 检测 应用 | ||
1.一种表面等离激元共振装置,其特征在于,包括:衬底、位于衬底上的金属膜和位于金属膜上的高分子薄膜,所述高分子薄膜上设置有若干阵列分布的表面等离激元谐振腔,所述高分子薄膜在不同吸水量条件下的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的表面等离激元共振装置,其特征在于,所述表面等离激元谐振腔的深度为75-200nm、直径为100-500nm,所述表面等离激元谐振腔的阵列周期为300-600nm。
3.根据权利要求1所述的表面等离激元共振装置,其特征在于,所述高分子薄膜为具有亲水基团和疏水基团的高分子薄膜,优选地,所述高分子薄膜为PEG薄膜。
4.根据权利要求1所述的表面等离激元共振装置,其特征在于,所述金属膜为金膜、银膜或铝膜,金属膜厚度不小于80nm。
5.根据权利要求1所述的表面等离激元共振装置的制备方法,其特征在于,所述表面等离激元谐振腔的底部厚度为0~20nm。
6.一种表面等离激元共振装置的制备方法,其特征在于,包括:
提供一衬底;
在衬底表面溅射一层金属膜;
在金属膜上旋涂一层高分子薄膜;
对高分子薄膜进行纳米压印,形成阵列分布的表面等离激元谐振腔。
7.根据权利要求6所述的表面等离激元共振装置的制备方法,其特征在于,所述纳米压印采用PDMS软模板进行。
8.根据权利要求6所述的表面等离激元共振装置的制备方法,其特征在于,所述纳米压印的退火温度为110℃~130℃、压力为50-70Bar。
9.一种吸水量检测系统,其特征在于,所述系统包括:
表面等离激元共振装置,所述表面等离激元共振装置为权利要求1~5中任一项所述的表面等离激元共振装置;
光谱仪,用于检测不同吸水量下因高分子薄膜厚度变化而导致表面等离激元谐振腔的SPR特征峰位的移动;
数据处理单元,用于根据光谱仪检测到的SPR特征峰位获取对应的吸水量。
10.一种吸水量检测方法,其特征在于,所述方法包括:
表面等离激元共振装置在不同吸水量条件下厚度不同;
检测不同吸水量下因高分子薄膜变化厚度而导致表面等离激元谐振腔的SPR特征峰位的移动;
根据光谱仪检测到的SPR特征峰位获取对应的吸水量。
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