[发明专利]一种移相全桥电路拓扑低压输出机构及低压输出方法

权利要求书

1.一种移相全桥电路拓扑低压输出方法，其特征在于，该方法包括移相全桥电路拓扑低压输出结构实现，所述移相全桥电路拓扑低压输出结构包括包括变压器T(3)、移相全桥电路(2)、整流电路(4)、LC滤波电路、控制模块(1)，所述变压器T(3)的原边与移相全桥电路(2)相连，所述移相全桥电路(2)与外界电源相连，所述变压器T(3)副边与整流电路(4)相连，所述整流电路(4)与LC滤波电路(5)相连，所述移相全桥电路(2)还与控制模块(1)电性相连，该方法包括以下步骤：

S1、开环测试最低输出电压值；以及闭环测试出最低电流值，绘制U-I坐标轴，确定移相模式区域、PWM模式区域；

所述步骤S1中，包括：

S11、在移相模式下，用开环测试，通过外界电源与移相全桥电路(2)相连进行供电，且外界电源为直流电源，再依次经过移相全桥电路(2)、变压器T(3)、整流电路(4)以及滤波电路进行输出，通过控制模块(1)，控制驱动信号发送至移相全桥电路(2)处，在移相全桥电路(2)的作用下，使得能量通过变压器T(3)传递到变压器T(3)副边时，以输出空载，并将移相角设置为0，然后输出电压，测量此时的输出电压值，并记录为Umin；

S12、在移相模式下，用闭环测试，输出电压设置为1V，然后逐渐增加负载，当输出电压能够稳定在1V时，并记录此时的电流值，为Imin；

S13、最后绘制I-U坐标轴，确定移相模式区域、PWM模式区域；

所述步骤S13中，确定移相模式区域、PWM模式区域为：U作为横坐标，I作为纵坐标，其中交点处为(0，0)，U轴上绘制出(Umax，0)、(Umin，0)，I轴上绘制出(0，Imax)、(0，Imin)，移相模式所占区域为Umax*Imax的区域；而PWM模式的范围是在Umin*Imin的区域；

S2、移相模式与PWM模式切换，输出低电压；

当输出电压低于Umin且输出电流小于Imin时，切换到PWM模式。

2.根据权利要求1所述的移相全桥电路拓扑低压输出方法，其特征在于，所述移相全桥电路(2)包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电感L1、电感L2，其中，

所述电容C1的一端通过母线Vbus+与外界的直流电源正极电性连接，所述电容C1的另一端通过母线Vbus-与外界的直流电源负极电性连接，所述电容C1与直流电源正极相连的一端还分别与MOS管Q1的源极、MOS管Q3的源极电性连接，所述电容C1与直流电源负极相连的一端还分别与MOS管Q2的漏极、MOS管Q4的漏极电性相连；

所述MOS管Q1的源极与电容C2电性的一端相连，所述电容C2的另一端与MOS管Q1的漏极电性相连，所述电容C2与二极管D1并联后连接在MOS管Q1的源极和漏极之间，其中所述二极管D1的负极与MOS管Q1的源极电性连接，所述二极管D2的正极与MOS管Q1的漏极电性连接；

所述MOS管Q1的漏极还与MOS管Q2的源极电性连接；所述MOS管Q2的源极还与电容C3的一端电性连接，所述电容C3的另一端与MOS管Q2的漏极电性相连，所述电容C3与二极管D2并联后连接在MOS管Q2的源极和漏极之间，其中，所述二极管D2的负极与MOS管Q2的源极电性连接，所述二极管D2的正极与MOS管Q2的漏极电性连接；

所述MOS管Q3的源极还与电容C4的一端电性相连，所述电容C4的另一端与MOS管Q3的漏极电性相连，所述电容C4与二极管D3并联后连接在MOS管Q3的源极和漏极之间，其中，所述二极管D3的正极与MOS管Q3的源极电性相连，所述二极管D3的负极与MOS管Q3的漏极相连；

所述MOS管Q3的漏极还与MOS管Q4的栅极电性相连；所述MOS管Q4的栅极与FPGA的D^*输出端电性相连，所述MOS管Q4的源极与电容C5的一端电性相连，所述电容C5的另一端与MOS管Q4的漏极电性相连，所述电容C5与二极管D4并联后连接在MOS管Q4的源极和漏极之间，其中，所述二极管D4的负极与MOS管Q4的源极电性相连，所述二极管D4的正极与MOS管Q4的漏极电性相连；

所述MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极相连的一端电感L1的一端电性相连，所述电感L1的另一端与电容C6的一端电性相连，所述电容C6的另一端与电感L2的一端电性相连，所述电感L2的另一端与变压器T(3)原边的一端电性相连，所述变压器T(3)原边的另一端与所述MOS管Q4的源极电性相连。