[发明专利]半导体芯片和半导体封装件在审
申请号: | 201911138779.2 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN111223823A | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 明俊佑;李在杰;李铣浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 钱海洋;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 | ||
1.一种半导体封装件,包括:
连接结构,包括:绝缘层;重新分布层,设置在所述绝缘层上;以及连接过孔,贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层;
半导体芯片,具有设置有连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面,并且所述有效表面被设置在所述连接结构上以面对所述连接结构;以及
包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分,
其中,所述半导体芯片包括设置在所述有效表面中的槽和围绕所述有效表面中的所述槽设置的坝结构。
2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述槽设置在所述半导体芯片的边缘和所述连接焊盘之间。
3.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述槽沿所述半导体芯片的所述有效表面的外周连续设置。
4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片包括多个槽,所述多个槽包括分别沿着所述半导体芯片的所述有效表面的相应边缘连续形成并且彼此断开的槽。
5.如权利要求4所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片包括钝化层,所述钝化层沿着所述有效表面的角部区域延伸且位于所述多个槽的相邻槽之间。
6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述槽具有相对于所述有效表面按照不同角度倾斜的多个倾斜表面。
7.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述槽是凹陷到所述有效表面中的激光加工的槽。
8.如权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述坝结构是通过激光加工所述半导体芯片而形成的毛刺并且从所述有效表面向外延伸。
9.如权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:
框架,设置在所述连接结构上并且具有通孔,所述半导体芯片设置在所述通孔中。
10.如权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述包封剂填充所述通孔,并且覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面。
11.如权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述包封剂延伸到所述半导体芯片的所述有效表面的一部分。
12.如权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述包封剂填充在所述槽的至少一部分中。
13.一种半导体芯片,包括:
主体,具有平面表面;
多个连接焊盘,沿着所述平面表面设置并且电连接到所述主体中的电子电路;
槽,沿着所述平面表面的外周凹陷到所述平面表面中;以及
坝,沿着所述槽的外周从所述平面表面延伸,
其中,所述槽和所述坝设置在所述多个连接焊盘和所述主体的所述平面表面的边缘之间。
14.如权利要求13所述的半导体芯片,其中,所述槽沿着所述主体的所述平面表面的整个外周一体地延伸,以围绕设置在所述平面表面上的所有的连接焊盘。
15.如权利要求14所述的半导体芯片,其中,所述坝包括:第一坝,沿着所述主体的所述平面表面的整个外周一体地延伸且位于所述槽和所述平面表面的外周之间;以及第二坝,沿着所述主体的所述平面表面的整个外周一体地延伸且位于所述槽和所述多个连接焊盘之间。
16.如权利要求13所述的半导体芯片,其中,所述槽包括多个槽区段,所述多个槽区段均沿着所述半导体芯片的所述平面表面的相应边缘设置并且彼此间隔开。
17.如权利要求16所述的半导体芯片,所述半导体芯片还包括多个钝化层区段,所述多个钝化层区段均沿着所述平面表面的角部区域延伸并且位于所述多个槽区段的相邻槽区段之间。
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