[发明专利]显示面板的制备方法有效
申请号: | 201911138907.3 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110854304B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 王守坤;秦韶阳 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制备 方法 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括:显示区、开孔区与隔离区,所述隔离区位于所述显示区与所述开孔区之间,且至少部分围绕所述开孔区;所述方法包括:
在衬底上形成支撑层,所述支撑层位于所述开孔区与所述隔离区;所述支撑层包括第一支撑子层与第二支撑子层;所述第一支撑子层在所述衬底上的投影位于所述开孔区,所述第二支撑子层在所述衬底上的投影位于所述隔离区;
在所述支撑层上形成第一阻挡层;所述第一阻挡层包括第一阻挡子层、第二阻挡子层与第三阻挡子层,所述第一阻挡子层位于所述第一支撑子层上,所述第二阻挡子层与所述第三阻挡子层位于所述第二支撑子层上,且所述第二阻挡子层位于所述第二支撑子层上的开槽区;
刻蚀所述第二阻挡子层,以暴露所述开槽区;
对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱,所述凹槽的底面的面积大于开口的面积;所述隔离柱与所述凹槽相间分布;所述隔离柱远离所述衬底的表面的面积大于所述隔离柱靠近所述衬底的底面的面积。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区,所述支撑层与所述缓冲层在同一工序中形成;或者,
在所述衬底上形成缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区;
在所述缓冲层上形成隔离层,所述隔离层位于所述显示区,所述支撑层与所述隔离层在同一工序中形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述衬底上形成驱动电路层,所述驱动电路层位于所述显示区,所述驱动电路层远离所述衬底的表面与所述支撑层远离所述衬底的表面齐平;
在所述驱动电路层上形成第二阻挡层;所述第二阻挡层远离所述衬底的表面与所述第一阻挡层远离所述衬底的表面齐平。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二阻挡层与所述第一阻挡层在同一工序中形成。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述驱动电路层包括连线层;
所述支撑层与所述连线层在同一工序中形成。
6.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:
刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板;
所述刻蚀所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,包括:
对所述第一阻挡子层、所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层进行湿法刻蚀。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,进行湿法刻蚀采用的酸液的成分包括磷酸、草酸、醋酸中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO;所述第二阻挡层的材料为氧化铟锡ITO、氧化铟镓IGO或氧化铟镓锌IGZO。
9.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述支撑层上形成第一阻挡层之后,还包括:
刻蚀所述第一阻挡子层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,刻蚀所述第一阻挡子层与刻蚀所述第二阻挡子层在同一工序中完成。
11.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述对所述开槽区进行刻蚀,得到凹槽与隔离柱之后,还包括:
刻蚀所述第三阻挡子层与所述第二阻挡层,得到阵列基板。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911138907.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种透气耐磨的塑胶鞋底生产工艺
- 下一篇:一种桩基防沉降装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择