[发明专利]体声波滤波器及其制造方法以及双工器在审
| 申请号： | 201911139018.9 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111010143A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 庞慰;郑云卓 | 申请（专利权）人： | 天津大学;诺思（天津）微系统有限责任公司 |
| 主分类号： | H03H9/70 | 分类号： | H03H9/70;H03H9/54 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声波 滤波器 及其 制造 方法 以及 双工器 | ||
1.一种体声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
在上晶圆的第一表面形成多个并联谐振器；在下晶圆的第一表面形成多个串联谐振器；
在所述并联谐振器的电路上连接第一管脚，所述串联谐振器的电路上连接第二管脚，将所述上晶圆的第一表面和所述下晶圆的第一表面平行相对设置，以及使所述第一管脚和所述第二管脚键合形成多级串并联的滤波器电路，并且形成分布式电容；
其中，形成该分布式电容的并联谐振器和串联谐振器在所述多级串并联的滤波器电路中为同级关系、相邻级关系或相跨一级关系。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，多个所述并联谐振器一字排布、多个所述串联谐振器一字排布；
同级关系的所述并联谐振器和所述串联谐振器之间形成所述分布式电容。
3.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：
上晶圆，所述上晶圆第一表面设置有多个并联谐振器和第一管脚；
下晶圆，所述下晶圆第一表面设置有多个串联谐振器和第二管脚；
所述上晶圆和所述下晶圆叠加形成封装结构，在所述封装结构的内部，所述上晶圆的第一表面和所述下晶圆的第一表面平行相对设置，所述第一管脚和所述第二管脚键合形成多级串并联的滤波器电路，并且形成分布式电容；
其中，形成该分布式电容的并联谐振器和串联谐振器在所述多级串并联的滤波器电路中为同级关系、相邻级关系、或相跨一级关系。
4.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振器和所述串联谐振器为薄膜体声波谐振器或固态装配谐振器或表面声波谐振器。
5.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振器和所述串联谐振器的机电耦合系数不同。
6.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述串联谐振器的机电耦合系数比所述并联谐振器的机电耦合系数大至少2％。
7.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振器压电层的材料和所述串联谐振器压电层的材料不同。
8.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述并联谐振器的上电极和所述串联谐振器的上电极之间的垂直间隔为5um。
9.根据权利要求3所述的体声波滤波器，其特征在于，所述分布式电容的容值为0.1pF。
10.一种双工器，其特征在于，包括两颗如权利要求3-9中任一项所述的体声波滤波器。
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