[发明专利]含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法

权利要求书

1.一种极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于:包含热固性含硅材料、以及交联催化剂，

所述热固性含硅材料含有下列通式(Sx-1)所示的重复单元、下列通式(Sx-2)所示的重复单元、及下列通式(Sx-3)所示的部分结构中的任一个以上；

式中，R¹为下列通式(Sx-R1)；

式中，R¹¹为除了亚甲基以外的2价有机基团，R¹²为碳数1～10的1价有机基团、羟基或除碘以外的卤素原子，n1为1、2或3，n2为0、1或2；

R²、R³分别独立地为和R¹同含义、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。

2.根据权利要求1所述的极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述交联催化剂为锍盐、碘鎓盐、鏻盐、铵盐、或具有这些盐作为结构的一部分的聚硅氧烷、或碱金属盐。

3.根据权利要求1或2所述的极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，还含有下列通式(P-0)所示的化合物中的1种以上；

上式中，R³⁰⁰表示经1个以上的氟原子取代的2价有机基团，R³⁰¹及R³⁰²分别独立地表示任选地经杂原子取代、任选地夹杂有杂原子的碳数1～20的直链状、支链状或环状1价烃基；R³⁰³表示任选地经杂原子取代、任选地夹杂有杂原子的碳数1～20的直链状、支链状或环状2价烃基；此外，R³⁰¹与R³⁰²、或R³⁰¹与R³⁰³任选地彼此键结并和式中的硫原子一起形成环；L³⁰⁴表示单键或任选地经杂原子取代、任选地夹杂有杂原子的碳数1～20的直链状、支链状或环状2价烃基。

4.根据权利要求3所述的极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物，其中，所述通式(P-0)所示的化合物为下列通式(P-1)所示的化合物；

X³⁰⁵、X³⁰⁶分别独立地表示氢原子、氟原子、三氟甲基中的任一个，但并非全部为氢原子；n³⁰⁷表示1～4的整数；R³⁰¹、R³⁰²、R³⁰³及L³⁰⁴如上所述。

5.一种图案形成方法，其特征在于:

在被加工体上使用涂布型有机下层膜材料形成有机下层膜，在所述有机下层膜之上使用根据权利要求1至4中任一项所述的极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成含硅的抗蚀剂下层膜，在所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用化学增幅型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，加热处理后利用极紫外线光将所述抗蚀剂膜曝光，使用碱显影液使所述抗蚀剂膜的曝光部溶解以形成正型图案，将已经形成图案的抗蚀剂膜作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述含硅的抗蚀剂下层膜，将已经转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述有机下层膜，进而将已经转印图案的有机下层膜作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述被加工体。

6.一种图案形成方法，其特征在于:

在被加工体上利用CVD法形成将碳作为主成分的有机硬掩模，在所述有机硬掩模之上使用根据权利要求1至4中任一项所述的极紫外线光刻用含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物形成含硅的抗蚀剂下层膜，在所述含硅的抗蚀剂下层膜上使用化学增幅型抗蚀剂组合物形成抗蚀剂膜，加热处理后利用极紫外线光将所述抗蚀剂膜曝光，使用碱显影液使所述抗蚀剂膜的曝光部溶解以形成正型图案，将已经形成图案的抗蚀剂膜作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述含硅的抗蚀剂下层膜，将已经转印图案的含硅的抗蚀剂下层膜作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述有机硬掩模，进而将已经转印图案的有机硬掩模作为掩模而利用干蚀刻将图案转印在所述被加工体。