[发明专利]形成封装的方法以及集成电路器件的封装

权利要求书

1.一种形成封装的方法，包括：

抛光第一管芯的半导体衬底以露出延伸至所述半导体衬底中的第一通孔；

在所述半导体衬底上形成介电层；

在所述介电层中形成多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘包括第一有源接合焊盘和第一伪接合焊盘，其中，所述第一有源接合焊盘电耦接至所述第一通孔；

将所述第一管芯接合至第二管芯，其中，所述第一有源接合焊盘和所述第一伪接合焊盘均接合至所述第二管芯中的对应的接合焊盘；以及

设置填充介电材料以包围所述第二管芯，

其中，所述多个接合焊盘还包括第四伪接合焊盘，所述第四伪接合焊盘的顶面与所述填充介电材料接触，

其中，抛光第一管芯的半导体衬底以露出所述第一通孔包括：

使用背面研磨工艺使得所述半导体衬底的顶面与所述第一通孔的顶面共面；以及

使用侵蚀所述半导体衬底而不侵蚀所述第一通孔的蚀刻剂来蚀刻所述半导体衬底，从而形成凹槽，其中，所述第一通孔的顶部位于凹槽中并从所述半导体衬底的剩余部分的顶面伸出，

其中，在将所述第一管芯接合至所述第二管芯之前，将所述第一管芯接合至载体上方的接合层，其中，具有对准标记的附加介电层设置在所述载体和所述接合层之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一有源接合焊盘接合至所述第二管芯中的第二多个有源接合焊盘，并将所述第一伪接合焊盘接合至所述第二管芯中的悬空接合焊盘，并且将所述第二多个有源接合焊盘和所述悬空接合焊盘均电连接至所述第二管芯中的集成电路器件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过混合接合将所述第一管芯和所述第二管芯接合。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将伪管芯接合至所述第一管芯。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述多个接合焊盘还包括第二伪接合焊盘，所述伪管芯还包括接合至所述第二伪接合焊盘的第三伪接合焊盘。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述第二管芯和所述填充介电材料平坦化，直至暴露所述第二管芯中的第二通孔；以及

形成第三有源接合焊盘，所述第三有源接合焊盘电耦接至所述第二通孔。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在顶视图中，所述第四伪接合焊盘围绕所述第二管芯。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一管芯是逻辑管芯，所述第二管芯是存储管芯。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述第二管芯上堆叠与所述第二管芯相同的第三管芯，其中，所述第二管芯中的有源接合焊盘接合至所述第三管芯。

10.一种形成封装的方法，包括：

形成第一管芯，所述第一管芯包括：

第一半导体衬底；以及

第一通孔，所述第一通孔穿透所述第一半导体衬底；

形成第二管芯，所述第二管芯包括：

第二半导体衬底；

第二通孔，所述第二通孔穿透所述第二半导体衬底；

第一有源接合焊盘；以及

第一悬空接合焊盘；以及

在所述第一管芯上接合所述第二管芯，其中，通过所述第一管芯和所述第二管芯之间的第二有源接合焊盘将所述第一有源接合焊盘电耦接至第一管芯，以及将所述第一悬空接合焊盘接合至所述第一管芯和所述第二管芯之间的第一伪焊盘，

其中，形成所述第一管芯包括：

使用背面研磨工艺使得所述第一半导体衬底的顶面与所述第一通孔的顶面共面；以及

使用侵蚀所述第一半导体衬底而不侵蚀所述第一通孔的蚀刻剂来蚀刻所述第一半导体衬底，从而形成凹槽，其中，所述第一通孔的顶部位于凹槽中并从所述第一半导体衬底的剩余部分的顶面伸出，

其中，在所述第一管芯上接合所述第二管芯之前，将所述第一管芯接合至载体上方的接合层，其中，具有对准标记的附加介电层设置在所述载体和所述接合层之间。