[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 201911141072.7 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200012A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 傅磊;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一鳍片，延伸自一基板，该鳍片包括一通道区及与该通道区相邻的一源极/漏极区；
一栅极结构，位于该通道区上；
一源极/漏极接触件，位于该源极/漏极区上；
一栅极切割部件，与该栅极结构相邻；
一源极/漏极接触隔离部件，与该源极/漏极接触件相邻；
一间隔物，沿着该栅极切割部件的一侧壁及该栅极结构的一侧壁延伸；
一衬层，沿着该源极/漏极接触隔离部件的一侧壁及该源极/漏极接触件的一侧壁延伸；以及
一气隙，夹在该间隔物及该衬层之间，其中该栅极切割部件及该源极/漏极接触隔离部件被该间隔物、该气隙、及该衬层分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911141072.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电感器、滤波器和多路复用器
- 下一篇：用于利用超声的弹性模式成像的开关电容器
- 同类专利
- 专利分类
