[发明专利]晶圆制备方法有效
| 申请号： | 201911141891.1 | 申请日： | 2019-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111081787B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹;李武华 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/82 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 秦莹 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆制备方法，其特征在于，所述晶圆的结构为:最底层的N型衬底、覆盖在N型衬底上表面的N型外延层、覆盖在N型外延层上表面四周的氧化层、覆盖在N型外延层上表面氧化层内侧以及氧化层上表面的金属铝层、以及覆盖在金属铝层上表面且与所述金属铝层大小一致的焊接层，所述方法具体包括：
在完成N型衬底、N型外延层、以及进行了孔刻蚀的氧化层的制备后，在晶圆上溅射、光刻以及刻蚀所述金属铝层；
将清洗后的晶圆通过焊接层蒸发炉蒸镀焊接层，蒸镀的所述焊接层的面积小于所述金属铝层的面积；
对蒸镀焊接层后的晶圆通过铝腐蚀液或者干法进行腐蚀，去除掉没有焊接层覆盖的边缘部分的金属铝层；
对所述焊接层进行光刻、刻蚀，最后减薄形成正面电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述焊接层为金属银层，所述焊接层蒸发炉为银蒸发炉。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝腐蚀液为与正面金属银层不反应或者选择比大于预定值的腐蚀液。
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