[发明专利]基于枝形环抱电极的可见光通信器件及其制备方法

权利要求书

1.基于枝形环抱电极的可见光通信器件，其包括，衬底、N型GaN层、有源层、P型GaN层、N电极、P电极、正极以及负极，所述N型GaN层设置于所述衬底上，所述有源层设置于所述N型GaN层上，所述P型GaN层设置于所述有源层上，所述N电极设置于所述N型GaN层表面，所述P电极设置于所述P型GaN表面，所述正极与所述P电极连接，所述负极与所述N电极连接，其特征在于，

所述N电极包括从负极延伸的N主枝电极以及从N主枝电极分叉的N枝形环抱电极；

所述P电极包括从正极延伸的P主枝电极以及从P主枝电极分叉的P枝形环抱电极；

所述N主枝电极与所述P主枝电极在投影面上延伸为同一直线，所述N枝形环抱电极与所述P枝形环抱电极在投影面上间隔设置。

2.根据权利要求1的所述可见光通信器件，其特征在于，所述N枝形环抱电极与所述P枝形环抱电极在其投影面上呈同心圆环状，所述同心圆环具有缺口，所述N主枝电极位于所述P枝形环抱电极的缺口中，所述P主枝电极位于所述N枝形环抱电极的缺口中。

3.根据权利要求1的所述可见光通信器件，其特征在于，所述N主枝电极与所述P主枝电极在正投影面上位于同一直线。

4.根据权利要求1-3之一的所述可见光通信器件，其特征在于，所述P主枝电极的一端为正极(8)，另一端为一枝形环抱电极。

5.根据权利要求1-3之一的所述可见光通信器件，其特征在于，所述N主枝电极的一端为负极(10)，另一端为一枝形环抱电极。

6.根据权利要求1-3之一的所述可见光通信器件，其特征在于，所述有源层以及所述P型GaN层中设置有开口槽，所述N电极位于所述开口槽中。

7.根据权利要求5的所述可见光通信器件，其特征在于，在所述衬底上设置有SiO₂绝缘层，所述正极(8)设置于所述SiO₂绝缘层上。

8.根据权利要求1-3之一的所述可见光通信器件，其特征在于，所述N枝形环抱电极的数量为偶数，所述P枝形环抱电极的数量为奇数。

9.根据权利要求8的所述可见光通信器件，其特征在于，所述N电极以及所述P电极的材料为铝铜合金。

10.基于枝形环抱电极的可见光通信器件的制备方法，其包括如下步骤：

采用MOCVD法在衬底上沉积包含有N型GaN层、有源层以及P型GaN层的外延结构；

刻蚀所述外延结构，形成N型GaN台，并在所述有源层以及P型GaN层中形成环状开口凹槽，所述环状开口凹槽的一端未连通，与所述开口凹槽未连通的相对一端刻蚀有线状开口凹槽；

沉积SiO₂绝缘台面，该SiO₂绝缘台面与所述P型GaN层齐平；

在所述开口凹槽中蒸镀N电极，同时在所述P型GaN上蒸镀P电极，所述P电极包含在投影方向上位于所述开口凹槽之间的枝形P电极，所述枝形P电极延伸至所述SiO₂台面。