[发明专利]显示基板、制备方法及显示装置有效
申请号: | 201911142721.5 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN110727149B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 杜瑞芳;沈梦;钱海蛟;马小叶 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333;G09G3/36 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 周颖颖 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括衬底基板,所述衬底基板的一侧形成有多条平行的栅线和多条平行的数据线,所述栅线和所述数据线相互绝缘并交叉限定了多个像素单元,其特征在于,还包括:
栅电极,所述栅电极与所述栅线同层形成,通过其所在像素单元行的栅线接收对应的GOA单元的栅极驱动信号;
上拉电极,位于所述衬底基板设有所述栅电极的一侧,所述上拉电极与所述栅电极异层设置,所述上拉电极和所述栅电极至少通过位于两者之间的绝缘层互相绝缘,每行像素单元的所述上拉电极与所在像素单元行对应的GOA单元的上拉节点电连接;
所述栅电极与所述栅线中的至少一者在所述衬底基板上的正投影和所述上拉电极在所述衬底基板上的正投影具有重叠部分;
所述像素单元还包括:有源层、源电极和漏电极,所述源电极、所述漏电极以及所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述上拉电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述上拉电极在所述衬底基板上的正投影位于所述栅电极和/或所述栅线在所述衬底基板上的正投影的区域内。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,每个像素单元还包括位于所述绝缘层远离所述衬底基板一侧的像素电极,所述上拉电极与所述像素电极共层设置且彼此绝缘,且所述上拉电极的材质与所述像素电极的材质相同。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素单元还包括:
位于所述栅电极远离所述衬底基板一侧的栅绝缘层;
位于所述栅绝缘层远离所述衬底基板一侧的有源层;以及,
与所述有源层分别连接的源电极和漏电极;
所述绝缘层设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧,所述绝缘层覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述有源层。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素单元还包括:
位于所述栅电极靠近所述衬底基板一侧的有源层;
与所述有源层分别连接的源电极和漏电极;以及,
位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层,所述栅绝缘层覆盖所述有源层、所述源电极和所述漏电极;
所述绝缘层设置在所述栅电极远离所述衬底基板的一侧。
6.根据权利要求1-5任一项所述的显示基板,其特征在于,所述绝缘层为钝化层或有机膜层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的显示基板。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板的一侧形成栅金属层,所述栅金属层包括栅电极和栅线;其中,所述栅电极可以是所述栅线的一部分,也可以是从所述栅线中延伸出的一部分;
在所述栅电极远离所述衬底基板的一侧形成绝缘层;
在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成上拉电极,所述上拉电极和其所在行对应的GOA单元的上拉节点电连接;其中,
所述栅电极与所述栅线中的至少一者在所述衬底基板上的正投影和所述上拉电极在所述衬底基板上的正投影具有重叠部分;
在形成所述栅金属层之后,形成所述绝缘层之前还包括:形成有源层、源电极和漏电极;或者,在形成所述栅金属层之前,还包括:形成有源层、源电极和漏电极;
其中,所述源电极、所述漏电极以及所述有源层在所述衬底基板上的正投影与所述上拉电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,还包括:在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧形成像素电极,所述上拉电极与所述像素电极同层设置且彼此绝缘。
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