[发明专利]具有经调整的栅极-源极距离的HEMT晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

制造高电子迁移率晶体管(HEMT)，所述制造包括：

形成异质结构；

在所述异质结构上形成电介质层；

形成延伸穿过所述电介质层、并且电接触所述异质结构的源极电极和漏极电极；以及

在所述源极电极和所述漏极电极之间形成栅极电极，其中形成所述栅极电极包括：

去除与所述源极电极相邻的所述电介质层的选择性部分，以形成贯穿所述电介质层的整个厚度的沟槽；以及

在所述沟槽中沉积导电材料，并且使所述导电材料成形以便形成栅极金属化体，所述栅极金属化体具有面向所述源极电极的侧表面，所述侧表面在相距所述源极电极一距离处延伸，该距离在贯穿所述栅极金属化体的整个延伸中均是恒定的，

其中去除所述电介质层的选择性部分包括：完全地去除所述栅极电极和所述源极电极之间的所述电介质层，以及保持所述栅极电极和所述漏极电极之间的所述电介质层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述距离沿着第一方向取得，所述第一方向正交于由所述栅极金属化体的所述侧表面限定的平面。

3.根据权利要求2所述的方法，其中使所述导电材料成形包括：沿着与所述第一方向正交的第二方向蚀刻所述导电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：形成钝化层，所述钝化层完全地填充所述栅极电极和所述源极电极之间的所述沟槽，并且在所述栅极电极、所述源极电极和所述漏极电极之上延伸。

5.根据权利要求1所述的方法，其中使所述导电材料成形进一步包括：在形成所述栅极金属化体的同时形成场板元件，所述场板元件在所述电介质层之上、从所述栅极金属化体开始朝向所述漏极电极延伸。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述栅极电极进一步包括：在所述沟槽中沉积所述导电材料之前，在所述沟槽中形成栅极电介质层；并且其中在所述沟槽中沉积所述导电材料包括：在所述栅极电介质层上沉积所述导电材料。

7.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：

异质结构；

第一电介质层，在所述异质结构上；

在所述第一电介质层中的暴露异质结构的第一表面的开口，所述异质结构的所述第一表面具有第一部分和与所述第一部分相邻的第二部分；

第二电介质层，在所述第一电介质层上和所述异质结构的所述第一表面的所述第一部分上的所述开口中，所述第二电介质层部分地暴露所述异质结构的所述第一表面的所述第二部分，所述第二电介质层在所述异质结构的所述第一表面的所述第一部分和所述第二部分之间的所述开口中具有侧表面，所述第二电介质层的所述侧表面横向于所述异质结构的所述第一表面；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极延伸到所述异质结构中，并且与所述异质结构电接触；以及

栅极电极，在所述异质结构的所述第一表面的所述第一部分上，所述栅极电极在所述第一电极和所述第二电极之间延伸，

其中所述栅极电极包括在所述开口中并面向所述第一电极的侧表面，所述侧表面从所述第一电极延伸一距离，所述异质结构的所述第一表面的整个所述第二部分位于所述第一电极和所述栅极电极之间，以及

其中所述第二电介质层的所述侧表面面向所述第一电极，所述第二电介质层的所述侧表面实质上与所述栅极电极的所述侧表面共面。

8.根据权利要求7所述的HEMT，其中所述距离沿着第一方向取得，所述第一方向正交于由所述栅极电极的所述侧表面限定的平面。

9.根据权利要求7所述的HEMT，进一步包括钝化层，所述钝化层贯穿所述栅极电极的所述侧表面的整个延伸而在所述栅极电极和所述第一电极之间延伸，并且所述钝化层还在所述栅极电极、所述第一电极和所述第二电极之上延伸，所述钝化层在所述第一电极和所述栅极电极之间具有沟槽。

10.根据权利要求9所述的HEMT，其中所述异质结构包括沟道层和在所述沟道层上的阻挡层，并且所述钝化层延伸到所述阻挡层。