[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括

接收基板，所述基板具有在其上限定的第一区域和第二区域以及在它们之间形成的绝缘结构；

形成栅极堆叠，所述栅极堆叠横跨所述第一区域和所述第二区域延伸，所述栅极堆叠包括介电层和在所述介电层上形成的栅极多晶硅层；

形成第一阱掩模，所述第一阱掩模覆盖所述第二区域并限定第一开口，所述第一开口暴露所述栅极多晶硅层在所述第一区域上的一部分；

通过所述第一阱掩模的第一开口并穿过所述栅极堆叠，进行第一掺杂工艺，以在所述基板中第一开口下形成第一阱；及

通过所述第一阱掩模对所述栅极多晶硅层进行第二掺杂工艺，以形成第一栅极导体。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括

形成覆盖所述第一区域的第二阱掩模，所述第二阱掩模限定第二开口，所述第二开口暴露所述栅极多晶硅层在所述第二区域上的一部分；

通过所述第二阱掩模的第二开口并穿过所述栅极堆叠，进行第三掺杂工艺，以在所述基板中第二开口下形成第二阱；及

通过所述第二阱掩模对所述栅极多晶硅层进行第四掺杂工艺，以形成第二栅极导体。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

在所述第一掺杂工艺中使用的第一掺杂剂与在所述第二掺杂工艺中使用的第二掺杂剂相同；及

在所述第三掺杂工艺中使用的第三掺杂剂与在所述第四掺杂工艺中使用的第四掺杂剂相同。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

由所述第一阱掩模限定的第一开口在其横截面中比所述第一区域窄；及

所述第一阱的横向跨度在其横截面中比所述第一区域窄。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，

该方法还包括形成覆盖所述第一栅极导体和所述第二栅极导体的栅极图案化掩模；

通过所述栅极图案化掩模蚀刻栅极堆叠以形成第一栅极特征和第二栅极特征；及

进行源极和漏极形成工艺，以在第一栅极特征的侧边形成第一源极特征和第一漏极特征，并在第二栅极特征的侧边形成第二源极特征和第二漏极特征。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

该方法还包括在形成所述栅极图案化掩模之前在所述栅极堆叠上方设置导电层；及

其中，所述栅极图案化掩模覆盖所述导电层的与所述第一栅极导体和所述第二栅极导体投影重叠的部分。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法还包括

在所述第一栅极特征和所述第二栅极特征上方设置衬层；及

去除所述衬层在所述第一栅极特征和所述第二栅极特征之上和之间的水平部分，以形成多对间隔结构(spacer)，其中，所述多对间隔结构分别覆盖所述第一栅极特征的两个侧壁和所述第二栅极特征的两个侧壁。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，

在所述基板的横截面中，由所述第一阱掩模限定的第一开口比所述第一区域窄；

在所述基板的横截面中，第一阱的横向跨度比第一区域窄；及

其中所述源极和漏极形成工艺包括：

形成第一源极和漏极掩模，所述第一源极和漏极掩模暴露所述第一区域且覆盖所述第二区域；

经由所述第一源极和漏极掩模执行第五掺杂工艺，以形成邻近第一阱的所述第一源极特征和所述第一漏极特征;

去除所述第一源极和漏极掩模；

形成第二源极和漏极掩模，所述第二源极和漏极掩模覆盖所述第一区域且暴露所述第二区域；及

通过所述第二源极和漏极掩模执行第六掺杂工艺以形成邻近所述第二阱的所述第二源极特征和所述第二漏极特征。