[发明专利]倒装LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面上的外延层，所述外延层包括由下向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

PN台阶，位于所述外延层中，所述PN台阶的上台阶面为第二半导体层，下台阶面为第一半导体层，上台阶面和下台阶面之间连接形成PN台阶侧面；

第一绝缘层，覆盖所述PN台阶侧面、部分上台阶面以及部分下台阶面；

反射镜层，位于所述第二半导体层上。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射镜层与相邻的所述PN台阶侧面之间的间距为0～6um。

3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：

电流扩展层，位于所述反射镜层上；

第一电极，与所述第一半导体层电连接；以及

第二电极，与第一电极彼此隔离，位于所述电流扩展层上，与所述第二半导体层电连接。

4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层的厚度为0.5um-3um。

5.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层覆盖部分所述第一绝缘层。

6.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射镜层和所述电流扩展层均覆盖部分第一绝缘层。

7.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层具有第一开口，露出第一半导体层和第二半导体层。

8.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度为0.01um-10um。

9.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种。

10.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射镜层的材料包括银、铝、氧化铟锡中的至少一种。

11.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电流扩展层的材料包括钛、铂、银、铝、镍、铬、金中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射镜层的厚度为0.1um-2um。

13.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：

第二绝缘层，位于所述第一绝缘层和所述电流扩展层上，

其中，所述第二绝缘层具有第二开口，露出第一半导体层和所述电流扩展层。

14.根据权利要求13所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为0.01um-10um，所述第二绝缘层的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一种。

15.根据权利要求13所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括：

布线层，位于所述第二绝缘层上，覆盖暴露的第一半导体层和所述电流扩展层，分别与所述第一半导体层和所述电流扩展层电连接；

其中，所述布线层包括彼此隔离的第一金属层和第二金属层，其中，第一金属层，与所述第一半导体层电连接；

第二金属层，位于所述电流扩展层上，与所述第二半导体层电连接。

16.根据权利要求15所述的倒装LED芯片，其中，所述第一金属层和所述第二金属层沿水平方向的间隔距离为5um-100um。