[发明专利]Nand Flash的电压控制方法及非易失性存储器在审
申请号: | 201911144229.1 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN112825262A | 公开(公告)日: | 2021-05-21 |
发明(设计)人: | 朱长峰;谢瑞杰 | 申请(专利权)人: | 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司;上海格易电子有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/30;G11C5/14 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 230601 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand flash 电压 控制 方法 非易失性存储器 | ||
1.一种Nand Flash的电压控制方法,其特征在于,包括:
监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时,将所述第一衬底中的电荷共享至非选中存储单元阵列的第二衬底,使所述第二衬底获得第一电压;
监测到开始对所述第一衬底充电时,基于所述第一电压对所述第一衬底充电,使所述第一衬底获得第二电压;
在所述第二电压的基础上将所述第一衬底充电至目标电压。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第一衬底中的电荷共享至非选中存储单元阵列的第二衬底,包括:
接通所述第一衬底与所述第二衬底,进行电荷共享,直至所述第一衬底与所述第二衬底中的电荷稳定;
断开所述第一衬底与所述第二衬底的连接,并将所述第一衬底放电到地。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述第一电压对所述第一衬底充电,包括:
接通所述第一衬底与所述第二衬底,进行所述第一电压中电荷的共享,直至所述第一衬底与所述第二衬底中的电荷稳定;
断开所述第一衬底与所述第二衬底的连接。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述第二电压将所述第一衬底充电至目标电压,包括:
控制电源以确定的充电电压值对所述第一衬底充电,所述充电电压值为第二电压与所述目标电压的差值。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在监测到开始对所述选中存储单元阵列的第一衬底放电之前,还包括:
控制电源对所述第一衬底充电至初始电压,以使所述第一衬底由所述初始电压开始放电。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述目标电压为所述初始电压与设定电压增量值的和。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在根据所述第二电压将所述第一衬底充电至目标电压之后,还包括:
若通过擦除状态的检测,则将所述第一衬底和所述第二衬底放电到地。
8.一种非易失性存储器,其特征在于,包括:电压控制装置,其中,
所述电压控制装置包括:
电荷共享模块,用于监测到开始对选中存储单元阵列的第一衬底放电时,将所述第一衬底中的电荷共享至非选中存储单元阵列的第二衬底,使所述第二衬底获得第一电压;
第一充电模块,用于监测到开始对所述第一衬底充电时,基于所述第一电压对所述第一衬底充电,使所述第一衬底获得第二电压;
第二充电模块,用于根据所述第二电压将所述第一衬底充电至目标电压。
9.根据权利要求8所述的非易失性存储器,其特征在于,所述电荷共享模块,具体用于:
接通所述第一衬底与所述第二衬底,进行电荷共享,直至所述第一衬底与所述第二衬底中的电荷稳定;
断开所述第一衬底与所述第二衬底的连接,并将所述第一衬底放电到地。
10.根据权利要求8所述的非易失性存储器,其特征在于,所述第一充电模块,具体用于:
接通所述第一衬底与所述第二衬底,进行所述第一电压中电荷的共享,直至所述第一衬底与所述第二衬底中的电荷稳定;
断开所述第一衬底与所述第二衬底的连接。
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