[发明专利]一种密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法

说明书

本发明提供一种密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法，涉及COF基板制造技术领域。该密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法，包括以下制造工序：1、绝缘基板工序：1)首先，在树脂薄膜上涂抹粘合剂的粘合层，准备具备粘合层的绝缘基板；2)在绝缘基板上，通过粘合层形成铜箔；或者，也可以使用预先在绝缘基板上形成铜箔的铜张层叠板，铜箔通过粘合层在树脂膜上粘合，形成在绝缘基板上。本发明，在工序中，稀疏部及密部的各预定形成区域在中进行通过湿法蚀刻对铜箔进行加工的工序，在密部的预定形成区域中，用激光进一步加工铜箔，抑制密部中的配线间的蚀刻残留以及稀疏部中的布线的形状不良，可以形成具备稀疏部和密集部的布线线路。

技术领域

本发明涉及COF基板制造技术领域，具体为一种密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，封装基板由FPC像COF过渡，COF基板的PTCH值越来越小，供封装中的引脚也越来越，密集和精密，而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。由于COF的产品，线路比较精密，pitch值在20um以下，线宽/线距比较小，大概在10/10um左右，这对蚀刻工艺要求极其严格，及细小的刻蚀偏差都会造成COF产品不良，所以刻蚀偏差的存在是对精密的COF基本制造过程中的致命伤害。

现有的COF生产工艺是将COF基板不区分线路密集区和线路稀疏区，一次性过湿法蚀刻，线路区域同一蚀刻条件，线路密集区和线路稀疏区适用同一的蚀刻条件，无法保证线路密集区和线路稀疏区的线宽和线距的完好性，保证了线路稀疏区的线宽线距的良好性就造成线路密集区的线宽线距的蚀刻不良，保证了线路密集区的线宽线距的良好性就造成线路稀疏区的线宽线距的过度蚀刻，现有的技术无法同时保证线路密集区和线路稀疏区的线路刻蚀良好性。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法，解决了现有技术无法同时保证线路密集区和线路稀疏区的线路刻蚀良好性的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种密集线路与稀疏线路集成的COF基板制造方法，包括以下制造工序：

1、绝缘基板工序：

1)首先，在树脂薄膜上涂抹粘合剂的粘合层，准备具备粘合层的绝缘基板；

2)在绝缘基板上，通过粘合层形成铜箔；或者，也可以使用预先在绝缘基板上形成铜箔的铜张层叠板，铜箔通过粘合层在树脂膜上粘合，形成在绝缘基板上；

2、线路形成工序：

1)加工在绝缘基板上形成的铜箔，形成具备稀疏部和密部的布线线路，此时，在稀疏部中，配线被稀疏地配置，配线稀疏配置的稀疏部为COF基板的外部导线的配线部分；

2)在密部中，配线被密配置，配线密配置的密部为COF基板的内导线的配线部分；

3)在布线线路中，将包含以最窄的间隔配置的配线的区域设为密部，将以最宽的间隔配置的配线的区域设为密部；

3、湿蚀刻加工工序：

1)在铜箔上涂抹光刻胶，进行曝光，显影形成光刻胶图案，在形成抗蚀剂图案时，布线线路具备稀疏部和密集部，在稀疏部的形成预定领域中稀疏地配置光刻胶模式，在密部的形成预定领域中密配置光刻胶模式，以光刻胶图案为掩膜稀疏部及密部的各预定形成区域，通过采用喷射方式等的湿蚀刻法加工铜箔；