[发明专利]一种陶瓷电路无氰镀铜溶液、配制方法及电镀工艺

权利要求书

1.一种陶瓷电路无氰镀铜溶液，其特征在于，主要包含：氯化铜15～20g/L，碱式碳酸铜30g～50g/L，乙二胺四亚甲基磷酸钠5～8g/L，酒石酸钾钠18g～25g/L，柠檬酸280g～320g/L，碳酸氢钠15～18g/L，二氧化硒0.02～0.03g/L，氢氧化钾适量，氢氧化钾用于调节溶液pH值，使pH满足9～10。

2.一种配置权利要求1所述陶瓷电路无氰镀铜溶液的方法，其特征在于，配制流程：

将柠檬酸用纯水溶解后加入氢氧化钾直至混合溶液pH值介于3～4之间，后向溶液中加入氯化铜与碱式碳酸铜，并全部溶解；

在强烈搅拌状态下向溶液中加入氢氧化钾；

最后向溶液中加入乙二胺四甲基磷酸钠、碳酸氢钠及二氧化硒的混合溶液，搅拌均匀后完成配制。

3.根据权利要求2所述的陶瓷电路无氰镀铜溶液的制备方法，其特征在于，所述的在强烈搅拌状态下向溶液中加入氢氧化钾，添加过程中混合溶液温度不可超过50℃。

4.一种基于权利要求1所述陶瓷电路无氰镀铜溶液的镀覆工艺，其特征在于，包括以下步骤：

除油：清除陶瓷电路表面污染物；

自来水清洗：去除除油过程残留的溶液；

盐酸活化：使用50％盐酸去除基底材料存在的氧化层，露出待镀基底；

纯水水洗：去除活化过程残留的溶液；

预镀铜：大电流冲击镀铜；

纯水水洗：去除预镀过程残留的溶液；

镀铜：利用陶瓷电路无氰镀铜溶液在陶瓷电路基底上镀覆得到一层铜镀层，镀覆温度为35～55℃，pH为9～10，电流密度为0.5A/dm²～3A/dm²。

5.根据权利要求4所述的陶瓷电路无氰镀铜溶液的镀覆工艺，其特征在于，利用陶瓷电路无氰镀铜溶液在陶瓷电路基底上镀覆得到的铜镀层厚度为1-2微米。

6.根据权利要求4所述的陶瓷电路无氰镀铜溶液的镀覆工艺，其特征在于，预镀铜工艺中，电流密度为2A/dm²。