[发明专利]一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法

权利要求书

1.一种高掺杂半导体掺杂浓度的测算方法，其特征在于：该方法包括：

S1.利用回旋共振实验测算等效态密度N_*；

S2.室温霍尔实验测得室温下的载流子浓度n_(室温)；

S3.变温霍尔实验计算弱电离区载流子的弱电离能ε；

S4.通过上述步骤获得的等效态密度N_*，载流子浓度n_(室温)和弱电离能ε计算高掺杂半导体的掺杂浓度N。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述S1包括通过回旋共振实验测定回旋共振吸收时的电磁场频率ω和磁场强度B，测算载流子有效质量m_*，由此计算得出等效态密度N_*。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于：所述测算载流子有效质量方法为其中q为载流子电荷量。

4.根据权利要求3所述方法，其特征在于：所述等效态密度计算方法为其中k_B为玻尔兹曼常数，T为温度，h为普朗克常量。

5.根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述S2中所述室温载流子浓度n_(室温)测算方式为其中I_x为施加在半导体两端的电流，B_z为施加的与电流方向垂直的磁场强度，U_H(室温)为霍尔电势，d为半导体宽度。

6.根据权利要求5所述方法，其特征在于，所述S3包括：

S3.1梯度降低霍尔实验的环境温度，保持半导体处于弱电离区，测试各温度下对应的霍尔电势U_H，计算求得各温度对应的载流子浓度n。

S3.2对S3.1求得的载流子浓度n，通过公式进行线性拟合获得斜率k，计算弱电离能ε＝-2k·k_B，其中k_B为玻尔兹曼常数。

7.根据权利要求6所述方法，其特征在于：所述S4包括通过弱电离区载流子浓度其中g为载流子自旋简并度，代入所述室温载流子浓度n_(室温)，计算获得高掺杂半导体的掺杂浓度N。