[发明专利]基础电路板制作工艺及基础电路板在审
申请号: | 201911145198.1 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110752161A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 邹时月 | 申请(专利权)人: | 邹时月 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 44632 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 霍如肖 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铜垫 封装基板 卡槽 散热 卡接 铜柱 陶瓷基板 芯片焊盘 卡接孔 填充 装配 电路板制作工艺 电路板 硅芯片 导热 电镀铜工艺 一体化连接 散热效率 导通孔 导通 镀铜 接孔 焊接 芯片 中介 制作 | ||
本发明涉及基础电路板制作工艺及基础电路板,包括:封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔,芯片焊盘的上部焊接硅芯片,封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫;在陶瓷基板上制作铜垫卡槽和卡接铜柱,封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔,卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95%~99%,卡接铜柱与卡接孔装配,散热铜垫位于铜垫卡槽内,散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3~20μm的间隙;通过镀铜工艺,填充散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间的间隙,同时填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙,实现封装基板与陶瓷基板的装配,封装基板充当中介,利用电镀铜工艺实现芯片与陶瓷基板的散热铜垫卡槽一体化连接,能够大大提高散热效率。
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域,具体涉及一种基础电路板制作工艺及制作的基础电路板。
背景技术
电子元器件已经充斥到我们生活中的各个方方面面。
陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板,其铜层厚度可以到2mm以上。所制成的复合基板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
现有技术的芯片与陶瓷基板的封装,芯片的散热是一个需要解决的重要课题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是:提出一种基础电路板制作工艺,散热效率高,包括
A.在封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔,通过镀铜及填孔工艺,将导通孔填充为实心的导电孔,导通孔为呈阵列分布的9个以上的孔,芯片焊盘的上部焊接硅芯片,封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫;
B.在陶瓷基板上通过蚀刻工艺制作铜垫卡槽和卡接铜柱,封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔,陶瓷基板2上设置有3个以上的卡接铜柱,卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95%~99%,卡接铜柱与卡接孔装配,散热铜垫位于铜垫卡槽内,散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3~20μm的间隙;
C.通过镀铜工艺,填充散热铜垫的周侧及底部与铜垫卡槽之间的间隙,同时填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙。
本实施例中,镀铜工艺包括化学沉铜和电镀铜。
本实施例中,化学沉铜的铜层的厚度为1~3μm;
电镀铜时,为双回路电镀工艺,陶瓷基板和封装基板上同时设置有电镀夹子夹持点;
在散热铜垫与铜垫卡槽之间的间隙为3~20μm时,采用双回路电镀工艺进行电镀,同时通过陶瓷基板和封装基板上的电镀夹子夹持点进行电镀;在散热铜垫与铜垫卡槽之间的间隙小于3μm时,采用单回路电镀工艺,仅通过陶瓷基板或封装基板上的电镀夹子夹持点进行电镀。
一种基础电路板,包括硅芯片、陶瓷基板和封装基板;硅芯片为具有双面焊盘的芯片,在封装基板的芯片焊盘处设置上下导通的导通孔,通过镀铜及填孔工艺,将导通孔填充为实心的导电孔,导通孔为呈阵列分布的9个以上的孔,芯片焊盘的上部焊接硅芯片,封装基板的芯片焊盘部位的底部设置有导热铜垫;
封装基板设置有散热铜垫,散热铜垫位于硅芯片的一侧或底部,陶瓷基板设置有铜垫卡槽;
封装基板的厚度方向上设置有3个以上的卡接孔,陶瓷基板上设置有3个以上的卡接铜柱,卡接铜柱的直径为卡接孔的孔径的95%~99%,卡接铜柱与卡接孔装配后,散热铜垫位于铜垫卡槽内,散热铜垫31的周侧及底部与铜垫卡槽之间设置有3~20μm的间隙;
通过镀铜工艺,填充卡接铜柱与卡接孔之间的间隙,同时,填充散热铜垫与铜垫卡槽之间的间隙,实现封装基板与陶瓷基板的装配。
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