[发明专利]刻蚀方法和刻蚀系统

权利要求书

1.一种刻蚀方法，用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀，其特征在于，包括：

获得掩盖层的目标厚度，所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时，对被掩盖层的刻蚀厚度；

在被刻蚀层上形成具有所述目标厚度的掩盖层，所述掩盖层露出部分的被刻蚀层；

以所述掩盖层为掩膜，采用所述刻蚀工艺去除所述掩盖层和所述掩盖层露出的部分厚度的所述被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成目标图形。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为各向异性的刻蚀工艺。

3.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述被刻蚀层的材料包括硅或铝。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述掩盖层的材料包括氧化硅或氮化硅。

5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述被刻蚀层的材料为硅，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液为KOH溶液、TMAH溶液或HNA溶液。

6.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述被刻蚀层和掩盖层的刻蚀选择比为100至1000。

7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为干法刻蚀工艺，所述干法刻蚀工艺对所述被刻蚀层和掩盖层的刻蚀选择比为10至100。

8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层的步骤包括：在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖材料层；

在所述掩盖材料层上形成具有图形开口的图形层，所述图形开口露出部分的掩盖材料层；

以所述图形层为掩膜，去除所述图形开口露出的掩盖材料层，剩余的掩盖材料层用于作为所述掩盖层。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述目标图形为凹槽。

10.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，获得掩盖层的目标厚度的步骤包括：获取刻蚀工艺对被刻蚀层和掩盖层的刻蚀选择比；

根据所述刻蚀选择比和刻蚀的目标深度，获得掩盖层的目标厚度。

11.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，根据所述刻蚀选择比和刻蚀的目标深度，获得掩盖层的目标厚度的步骤包括：获得所述目标深度和所述刻蚀选择比之间的比值，所述比值作为所述掩盖层的目标厚度。

12.如权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，获取刻蚀工艺对被刻蚀层和掩盖层的刻蚀选择比的步骤包括：采用所述刻蚀工艺对所述被刻蚀层进行刻蚀，并测量所述被刻蚀层的刻蚀量随时间的变化量，获得所述刻蚀工艺对所述被刻蚀层的刻蚀速率随时间变化的曲线图；

采用所述刻蚀工艺对所述掩盖层进行刻蚀，并测量所述掩盖层的刻蚀量随时间的变化量，获得所述刻蚀工艺对所述掩盖层的刻蚀速率随时间变化的曲线图；

根据所述刻蚀工艺对被刻蚀层的刻蚀速率随时间变化的曲线图、以及所述刻蚀工艺对掩盖层的刻蚀速率随时间变化的曲线图，获得所述被刻蚀层的刻蚀速率和所述掩盖层的刻蚀速率之间的比值，所述比值作为所述刻蚀选择比。

13.一种刻蚀系统，用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀，其特征在于，包括：

存储单元，存储有刻蚀工艺对被刻蚀层与掩盖层的刻蚀选择比；

计算单元，用于根据所述刻蚀选择比和刻蚀的目标深度，获得所述掩盖层的目标厚度；

生长单元，用于在所述被刻蚀层上形成具有所述目标厚度的掩盖层，所述掩盖层露出部分的被刻蚀层；

刻蚀单元，用于采用所述刻蚀工艺去除所述掩盖层和所述掩盖层露出的部分厚度的所述被刻蚀层，在所述被刻蚀层中形成目标图形。