[发明专利]一种高性能窄带滤光薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高性能窄带滤光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)首先设计双腔窄带滤光薄膜；

2)采用真空镀膜方法制备窄带滤光薄膜，其中两个间隔层的沉积时间分别为t₁和t₂，并对其透过率曲线进行测试；

3)从测试的透过率曲线分析出双峰的波长、透过率；

4)基于测试曲线，获得两个窄带滤光薄膜间隔层光学厚度；

5)基于两个窄带滤光薄膜间隔层光学厚度对间隔层薄膜沉积时间进行修正；

6)最后再采用真空镀膜方法制备窄带滤光薄膜，并对光谱进行测试；

步骤1中设计的双腔窄带滤光薄膜，其中心波长为λ_i，膜系结构为：Sub|L(HL)^mnH(LH)^mL(HL)^mnH(LH)^mLHL|Air或Sub|LH(LH)^mnL(HL)^mHLH(LH)^mnL(HL)^mHLHL|Air，其中λ_i范围为200nm-5000nm，m的范围为3～20，n的范围为2～16，且n为偶数，H为高折射率薄膜材料，L为低折射率薄膜材料；

步骤2中制备的窄带滤光薄膜，其中两个间隔层的沉积时间分别为t₁和t₂，并对其透过率曲线进行测试；

步骤4中，采用薄膜设计软件，基于测试曲线模拟理论曲线，获得两个窄带滤光薄膜间隔层光学厚度分别为n+k和n-k，其中k的范围为-n～n；

步骤5中，修正后第一个间隔层薄膜沉积时间为t₁×n/(n+k)，修正后第二个间隔层薄膜沉积时间为t₂×n/(n-k)。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，高折射率薄膜材料为Ta₂O₅薄膜材料，低折射率薄膜材料为SiO₂薄膜材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤2中，采用离子束溅射沉积技术制备窄带滤光薄膜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤6中再采用离子束溅射沉积技术制备窄带滤光薄膜。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在K9或石英基底上设计窄带滤光薄膜。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在K9或石英基底上制备窄带滤光薄膜。