[发明专利]一种基于热释电及光电双功能的集成传感器件

权利要求书

1.一种基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，包括：光电传感阵列以及导电接线金属薄膜层；

所述光电传感阵列设于所述导电接线金属薄膜层上；所述光电传感阵列包括多个光电传感单元；所述光电传感单元包括铁电性半导体薄膜层以及透明导电薄膜层；所述铁电性半导体薄膜层以及所述透明导电薄膜层形成异质结；所述透明导电薄膜层包括顶电极薄膜层以及底电极薄膜层；以所述顶电极薄膜层、所述铁电性半导体薄膜层、所述底电极薄膜层的异质结构沿面外方向制备而成，所述铁电性半导体薄膜层设于所述顶电极薄膜层以及所述底电极薄膜层之间；所述顶电极薄膜层的上表面设有顶电极布线层；所述底电极薄膜层的下表面设有底电极布线层；所述顶电极薄膜层、所述铁电性半导体薄膜层以及所述底电极薄膜层构成肖特基势垒，所述肖特基势垒的电极面积不等于所述铁电性半导体薄膜的面积；所述铁电性半导体薄膜层为含有氧空位的多晶型薄膜层，所述铁电性半导体薄膜层具有热释电效应，所述基于热释电及光电双功能的集成传感器件由至少两个法向沿面外的肖特基势垒组成。

2.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述光电传感阵列的排列布局为二维平铺网络或三维堆叠网络。

3.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，多个所述光电传感单元以并联方式连接。

4.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述导电接线金属薄膜层为铜金属薄膜层、银金属薄膜层、铂金属薄膜层或金金属薄膜层。

5.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述肖特基势垒为等高势垒、非等高势垒或单势垒单欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述铁电性半导体薄膜层为六方晶系的铁氧体薄膜层、六方晶系的锰氧体薄膜层或非中心对称的氧化物薄膜层。

7.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述透明导电薄膜层为铂金属薄膜层、金金属薄膜层或镍金属薄膜层。

8.根据权利要求1所述的基于热释电及光电双功能的集成传感器件，其特征在于，所述导电接线金属薄膜层的厚度为10nm至100μm；所述铁电性半导体薄膜层的厚度为20nm至500nm；所述透明导电薄膜层的厚度为1nm至50nm。