[发明专利]具有改进的电荷存储容量的集成成像设备在审
申请号: | 201911147619.4 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN111211139A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | A·苏勒;F·罗伊 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(克洛尔2)公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 电荷 存储容量 集成 成像 设备 | ||
1.一种集成成像设备,包括:
至少一个像素,其中每个像素包括:
延伸到所述衬底中的沟槽;
涂覆所述沟槽的绝缘体;以及
在所述沟槽内的堆叠,所述堆叠包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域,其中所述堆叠内的所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过绝缘材料层彼此绝缘。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述至少一个像素包括电容器,所述电容器具有:由所述第二多晶硅区域形成的第一电极、由所述绝缘材料层形成的电介质、以及被耦合到存储区域的第二电极,所述存储区域被配置成存储表示所述像素的照度的电荷。
3.根据权利要求2所述的设备,还包括偏置电路,所述偏置电路被配置成分别偏置所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域。
4.根据权利要求2所述的设备,还包括金属化物,所述金属化物电连接所述第二多晶硅区域和所述存储区域。
5.根据权利要求2所述的设备,其中所述至少一个像素还包括:光敏区;读取节点,所述读取节点包括所述存储区域;以及至少一个传输门,所述至少一个传输门被配置成将在所述光敏区中累积的所述电荷传输到所述读取节点,其中所述沟槽划定所述读取节点的外围,其中所述第一多晶硅区域形成所述传输门。
6.根据权利要求2所述的设备,其中所述沟槽形成电容隔离沟槽,所述电容隔离沟槽划定所述像素的所述外围,所述第二多晶硅区域形成所述电容器的第一电极,并且所述电容器的所述第二电极通过金属轨道的方式连接到所述读取节点。
7.根据权利要求1所述的设备,其中所述堆叠被绝缘体的区域覆盖。
8.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备是智能移动电话的组件。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述设备是数码相机的组件。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述沟槽内的堆叠还包括第三多晶硅区域,其中所述堆叠内的所述第三多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过另外的绝缘材料层彼此绝缘。
11.一种集成电路,包括:
衬底;
延伸到所述衬底中的沟槽;
涂覆所述沟槽的绝缘体;以及
在所述沟槽内的堆叠,所述堆叠包括第一多晶硅区域和第二多晶硅区域,其中所述堆叠内的所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域通过绝缘材料层彼此绝缘。
12.根据权利要求11所述的电路,包括电容器,所述电容器具有:由所述第二多晶硅区域形成的第一电极、由所述绝缘材料层形成的电介质、以及在所述衬底内的第二电极。
13.根据权利要求12所述的电路,还包括偏置电路,所述偏置电路被配置成分别偏置所述第一多晶硅区域和所述第二多晶硅区域。
14.根据权利要求12所述的电路,包括垂直晶体管,所述第一多晶硅区域形成所述垂直晶体管的栅极电极。
15.根据权利要求11所述的电路,其中所述沟槽在外围围绕所述衬底的区域。
16.根据权利要求11所述的电路,其中所述堆叠被绝缘体的区域覆盖。
17.根据权利要求11所述的电路,其中所述电路是智能移动电话的组件。
18.根据权利要求11所述的电路,其中所述电路是数码相机的组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的