[发明专利]芯片卡在审

专利信息
申请号: 201911147637.2 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN111224213A 公开(公告)日: 2020-06-02
发明(设计)人: 瓦尔特·帕克勒;约瑟夫·格鲁贝尔;于尔根·赫茨尔;弗朗索瓦·彭斯根;斯特凡·兰佩特扎里伊特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01Q1/22 分类号: H01Q1/22;G06K19/077;G06Q20/34
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 丁永凡;张春水
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 芯片
【权利要求书】:

1.一种芯片卡,所述芯片卡具有:

·金属层,在所述金属层中构成有开口以及狭缝,所述狭缝从所述开口的边缘延伸至所述金属层的外边缘;

·在所述开口中设置的增益天线结构,所述增益天线结构具有用于与所述金属层电磁耦合的天线部段和用于与芯片模块的天线结构电磁耦合的耦合区域;以及

·在所述耦合区域中设置的所述芯片模块,所述芯片模块具有在所述芯片模块上设置的天线结构。

2.根据权利要求1所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构由刻蚀的金属形成。

3.根据权利要求2所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构在柔性印制衬底上形成。

4.根据权利要求1所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构由金属线形成。

5.根据权利要求1所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构由冲压的金属形成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构的金属是选自如下组的金属:

·铝;

·银;

·铜;以及

·以上所列举的金属中的至少一种金属的合金。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片卡,

·其中所述增益天线结构具有至少一个天线绕组;

·其中所述天线绕组的外边缘与所述金属层的开口的边缘之间的间距最大为500μm,可选地最大为300μm,可选地最大为200μm,可选地最大为100μm,可选地处于大约50μm至大约500μm的范围内,可选地处于大约100μm至大约300μm的范围内。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片卡,

其中所述金属层具有与所述芯片卡的总厚度基本上相同的厚度。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片卡,所述芯片卡还具有:

·承载件;

·其中所述金属层设置在所述承载件上;

·其中所述承载件具有凹部,在所述凹部中设置有所述芯片模块。

10.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片卡,

其中所述金属层与至少一个附加层层压。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的芯片卡,

其中所述金属层的厚度为所述芯片卡的总厚度的至少90%。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构、所述金属层以及所述芯片模块的所述天线结构相对于彼此设置成,使得在所述增益天线结构与所述金属层之间的电磁耦合小于在所述增益天线结构与所述芯片模块的所述天线结构之间的电磁耦合。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构和所述金属层相对于彼此设置成,使得在所述增益天线结构与所述金属层之间的电磁耦合具有在大约0.05至大约0.35的范围内的耦合系数。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的芯片卡,

其中所述增益天线结构和所述芯片模块的所述天线结构相对于彼此设置成,使得在所述增益天线结构与所述芯片模块的所述天线结构之间的电磁耦合具有在大约0.3至大约0.9的范围内的耦合系数。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的芯片卡,

其中所述金属层的重量是所述芯片卡的总重量的至少90%。

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