[发明专利]一种小型化超宽带功率放大模块在审
| 申请号： | 201911147912.0 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110708027A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 顾汉清;苏力晟;潘强 | 申请（专利权）人： | 浙江嘉科电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 33233 浙江永鼎律师事务所 | 代理人： | 陆永强;张建 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 小信号放大器 功率放大器 超宽带 功率放大模块 导热性能 放大模块 级联连接 接地性能 馈电电路 散热基板 镀银铜 焊锡 减小 焊接 匹配 | ||
1.一种小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，包括依次级联连接的小信号放大器(1)、GaAs功率放大器(2)和GaN HEMT功率放大器(3)，且小信号放大器(1)、GaAs功率放大器(2)和GaN HEMT功率放大器(3)均安装于同一PCB板(4)上。
2.根据权利要求1所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，小信号功率放大器(1)为输入输出50欧姆内匹配,用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。
3.根据权利要求1所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述GaAs功率放大器(2)为输入输出50欧姆内匹配，用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。
4.根据权利要求1所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述GaN HEMT功率放大器(3)用于对500MHz至2700MHz频段内所有频率信号进行放大。
5.根据权利要求4所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述GaN HEMT功率放大器(3)通过负载牵引将输入输出阻抗在500MHz至2700MHz频段内匹配到50欧姆。
6.根据权利要求1所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述PCB板(4)上通过焊锡固定有散热基板(5)。
7.根据权利要求6所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述PCB板(4)上开设有开槽，所述GaN HEMT功率放大器(3)安装在所述开槽内且通过焊锡固定在所述散热基板(5)上。
8.根据权利要求7所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述散热基板(5)为镀银铜块。
9.根据权利要求1所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述PCB板(4)的板材型号为RO4350B。
10.根据权利要求9所述的小型化超宽带功率放大模块，其特征在于，所述PCB板(4)厚度为10-30mil。
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