[发明专利]具有阻挡结构的存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

提供第一晶圆及第二晶圆，所述第一晶圆包括第一晶圆键合面，所述第一晶圆包含存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一个沟道柱，所述第二晶圆包括第二晶圆键合面，所述第二晶圆包含外围电路；

于所述第一晶圆中嵌入氢阻挡层，其中，所述氢阻挡层形成于靠近所述第一晶圆键合面，所述氢阻挡层与所述第一晶圆键合面之间的距离介于0.5μm～1μm之间；

通过所述第一晶圆键合面及所述第二晶圆键合面键合所述第一晶圆及所述第二晶圆；

在氢气氛下进行退火。

2.根据权利要求1所述的具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于：所述第一晶圆中还包含第一贯穿阵列连接部及与之连接的第一贯穿阵列接触部；所述第二晶圆中还包含第二贯穿阵列连接部及与之连接的第二贯穿阵列接触部；键合所述第一晶圆及所述第二晶圆时，所述第一贯穿阵列接触部与所述第二贯穿阵列接触部电性连接；在氢气氛下进行退火步骤前还包括于所述第一晶圆的远离所述第一晶圆键合面的一面形成焊垫引出层，所述焊垫引出层中的焊垫与所述第一贯穿阵列连接部电性连接。

3.根据权利要求1所述的具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于：所述氢阻挡层的厚度介于之间。

4.根据权利要求1所述的具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于：所述氢阻挡层的材料包括氧化铝或氮化硅。

5.根据权利要求1所述的具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于：所述第一晶圆中嵌入有至少一层所述氢阻挡层。

6.根据权利要求1所述的具有阻挡结构的存储器件制备方法，其特征在于：采用炉管工艺、原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述氢阻挡层。

7.一种具有阻挡结构的存储器件，其特征在于，所述存储器件至少包括：

第一晶圆，所述第一晶圆包括第一晶圆键合面，所述第一晶圆中包含有存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一个沟道柱；

第二晶圆，所述第二晶圆包括第二晶圆键合面，所述第二晶圆中包含有外围电路；

所述第一晶圆及所述第二晶圆通过所述第一晶圆键合面及所述第二晶圆键合面键合连接；

氢阻挡层，嵌入于所述第一晶圆中，其中，所述氢阻挡层形成于靠近所述第一晶圆键合面，所述氢阻挡层与所述第一晶圆键合面之间的距离介于0.5μm～1μm之间。

8.根据权利要求7所述的具有阻挡结构的存储器件，其特征在于：所述第一晶圆中还包含第一贯穿阵列连接部及与之连接的第一贯穿阵列接触部；所述第二晶圆中还包含第二贯穿阵列连接部及与之连接的第二贯穿阵列接触部；所述第一贯穿阵列接触部与所述第二贯穿阵列接触部电性连接；所述第一晶圆的远离所述第一晶圆键合面的一面形成有焊垫引出层，所述焊垫引出层中的焊垫与所述第一贯穿阵列连接部电性连接。

9.根据权利要求7所述的具有阻挡结构的存储器件，其特征在于：所述氢阻挡层的厚度介于之间。

10.根据权利要求7所述的具有阻挡结构的存储器件，其特征在于：所述氢阻挡层的材料包括氧化铝或氮化硅。

11.根据权利要求7所述的具有阻挡结构的存储器件，其特征在于：所述第一晶圆中嵌入有至少一层所述氢阻挡层。