[发明专利]光刻层掩膜版的制备方法、离子注入方法

权利要求书

1.一种降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：建立一组包含有源区图形和光刻层图形的测试图形；

步骤02：根据测试图形制作测试图形版图，从而收集用于添加辅助图形的光刻层版图信息和有源区版图信息；

步骤03：根据所述光刻层版图信息和有源区版图信息，得到有源区图形线宽和有源区图形到光刻层图形的距离对光刻层图形的线宽的影响曲线；

步骤04：根据所述影响曲线选择所述步骤01中的测试图形，并且在所选择的测试图形中的所述光刻层图形中添加初始辅助图形；所述初始辅助图形位于所述光刻层图形中需要降低光透过率的区域；

步骤05：根据完成所述步骤04的所述测试图形制备测试掩膜版，对一衬底曝光后得到衬底中实际的测试图形数据信息，并且据此确定辅助图形的目标尺寸，以建立关于辅助图形的测试图形模型；

步骤06：根据所述步骤05中的测试图形模型及其中的数据信息，采用OPC修正技术将确定了目标尺寸的所述辅助图形添加到所选择的测试图形中的所述光刻层图形中；

步骤07：以所述步骤06中所添加的辅助图形作为参考图形，对所述步骤06中所选择的所述光刻层图形进行OPC修正；

步骤08：将所述步骤07中经OPC修正后的所述光刻层图形与所述步骤06中所添加的辅助图形合并来制备光刻层掩膜版；所述步骤06中所添加的辅助图形位于所述光刻层掩膜版中需要降低光透过率的区域。

2.根据权利要求1所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述步骤01中，所述测试图形包括光刻层图形以及在光刻层图形两边对称分布的有源区图形。

3.根据权利要求1所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述步骤02中，用于添加辅助图形的光刻层版图信息和有源区版图信息包括光刻层图形的线宽和长度、有源区图形的线宽和长度、以及有源区图形到光刻层图形的距离。

4.根据权利要求1所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述步骤04中，所述辅助图形由与有源区图形平行的奇数根线条组成，位于奇数根线条中心位置的一条线条与有源区边缘重合。

5.根据权利要求4所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述辅助图形中的线条的根数由有源区图形到光刻层图形的距离决定。

6.根据权利要求5所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，当所述有源区图形到光刻层图形的距离小于200nm时，所述线条的根数为一根；当所述有源区图形到光刻层图形的距离大于200nm且小于400nm时，所述线条的根数为三根；当有源区图形到光刻层图形的距离大于400nm时，所述线条的根数为五根。

7.根据权利要求4所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述辅助图形的目标尺寸包括辅助图形中的线条线宽和线条的间距。

8.根据权利要求7所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述辅助图形的线条线宽为20～100nm，所述辅助图形的线条间距为50～180nm。

9.根据权利要求1所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，在所述步骤01之前，还包括：根据微影曝光条件得到初始的辅助图形。

10.根据权利要求1-9任意一项所述的降低光透过率的光刻层掩膜版制备方法，其特征在于，所述光刻层图形为注入层图形。