[发明专利]一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法有效
| 申请号： | 201911148774.8 | 申请日： | 2019-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110867383B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 申绪男;张超;冯洋 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L21/368;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 蒙建军 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 工艺 制备 铜锌锡硫 薄膜 吸收 方法 | ||
1.一种三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，其特征在于，通过在双层Mo背电极上利用溅射或者涂覆的方法制备包含铜、锌、锡元素的前驱体膜，然后在硫气氛下进行退火，形成高质量铜锌锡硫吸收层薄膜；包括如下步骤：
S1、在真空退火炉中，放置热舟，在舟上方放置前驱体膜，热舟中放置5g硫粉，抽真空到10-3Pa后，对热舟进行快速加热，使其20秒到达800℃，而前驱体膜不加热，膜温度低于50℃，保持10分钟，使得硫原子能够均匀扩散到前驱体膜中；
S2、将前驱体膜取出放入管式炉中，通入氩气，使得气压保持在1.2个大气压，加热管式炉到540℃-580℃，保持10分钟，降温；
S3、将管式炉气压降至1个大气压，温度保持在250℃-300℃，保持10分钟，去除残留的硫，然后降至室温。
2.根据权利要求1所述三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，其特征在于，在所述S2中，加热管式炉到540℃。
3.根据权利要求1所述三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，其特征在于，在所述S2中，加热管式炉到580℃。
4.根据权利要求1所述三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，其特征在于，在所述S3中，温度保持在250℃。
5.根据权利要求1所述三步硫化工艺制备铜锌锡硫薄膜吸收层的方法，其特征在于，在所述S3中，温度保持在300℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
