[发明专利]超高温远端温度测量校准方法、测量校准电路及介质

权利要求书

1.一种超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，利用集电极和基极短接的分立晶体管(130)，包括测量步骤和输出转换步骤；

测量步骤：将所述分立晶体管(130)设置在被测芯片(150)上，使用两个不同电流值激励分立晶体管(130)，分别记录在第一电流激励、第二电流激励下的第一晶体管偏置电流I₁、第二晶体管偏置电流I₂，并将第二晶体管偏置电流I₂与第一晶体管偏置电流I₁的比值记为M，则分立晶体管(130)在第一电流激励、第二电流激励下的第一基极-发射极电压V_BE1、第二基极-发射极电压V_BE2与偏置电流存在确定的对数关系，即满足如下第一公式：

其中，ΔV_BE为V_BE2与V_BE1的差值；N为二极管非理想因子；k为波耳兹曼常数，值为1.38×10^-23；q为电子电荷，值为1.6×10^-19；T为待测量的开尔文温度；I_S为分立晶体管(130)的晶体管饱和电流；

输出转换步骤：将V_BE和ΔV_BE转化为十进制温度值输出，具体转换满足如下第二公式：

其中，V_BE是指分立晶体管(130)与温度相关的模拟电压；A为斜率因子；B为失调因子；D_TEMP为测温芯片转换得到的被测芯片十进制温度值；α为第一公式△V_BE放大系数。

2.根据权利要求1所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，所述超高温远端温度测量校准方法还包括高温校准步骤；

高温校准步骤：采用分段式的非线性校准方法，依次按温度高低设置N个温度节点T₁、T₂…T_N,并分别在各个温度区间内采用不同的校准方案、依据不同的修正公式进行误差修正；

其中，N为大于1的正整数。

3.根据权利要求2所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，N＝4。

4.根据权利要求3所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，所述高温校准步骤包括如下子步骤：

当芯片测量温度高于T1时小于T2时，采用如下第三公式进行修正校准：

T_TRIM＝1.25*T_RAW-40

其中，T_TRIM为测温芯片获得的原始温度值；T_RAW为经过非线性校准后获得的温度值。

5.根据权利要求3所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，所述高温校准步骤包括如下子步骤：

当芯片测量温度高于T2时小于T3时，采用如下第四公式进行修正校准：

T_TRIM＝2.5*T_RAW-250

其中，T_TRIM为测温芯片获得的原始温度值；T_RAW为经过非线性校准后获得的温度值。

6.根据权利要求3所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，所述高温校准步骤包括如下子步骤：

当芯片测量温度高于T3时，采用如下第四公式进行修正校准：

T_TRIM＝5*T_RAW-680

其中，T_TRIM为测温芯片获得的原始温度值；T_RAW为经过非线性校准后获得的温度值。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的超高温远端温度测量校准方法，其特征在于，T1＝160℃，T2＝168℃，T3＝172℃。