[发明专利]量子点发光二极管和量子点发光显示装置

权利要求书

1.一种量子点(QD)发光二极管，包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；

QD发光材料层，在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD；

空穴传输层，在所述第一电极和所述QD发光材料层之间，并且包括第一空穴传输材料；

第一电子传输层，在所述QD发光材料层和所述第二电极之间；以及

第一电子控制层，在所述QD发光材料层和所述第一电子传输层之间，并包括第二空穴传输材料，

其中所述空穴传输层具有第一厚度，并且所述第一电子控制层具有小于所述第一厚度的第二厚度，以及

其中所述第二厚度是所述第一厚度的1/5至1/2。

2.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述第一空穴传输材料具有第一能带隙，并且所述第二空穴传输材料具有比所述第一能带隙宽的第二能带隙。

3.根据权利要求2所述的QD发光二极管，其中，所述第一空穴传输材料具有第一空穴迁移率，并且所述第二空穴传输材料具有小于所述第一空穴迁移率的第二空穴迁移率。

4.根据权利要求2所述的QD发光二极管，其中，所述第一电极是透明电极，所述第二电极是反射电极。

5.根据权利要求2所述的QD发光二极管，其中，所述第二空穴传输材料的发光波长范围在所述QD的吸收波长范围内。

6.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述第一空穴传输材料是聚[9,9'-二辛基芴-co-N-(4-(3-甲基丙酰基))-二苯胺](TFB)，所述第二空穴传输材料是聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)。

7.根据权利要求1所述的QD发光二极管，还包括：

第二电子控制层，在所述第一电子传输层和所述第二电极之间并且包括所述第二空穴传输材料；以及

第二电子传输层，在所述第二电子控制层和所述第二电极之间。

8.根据权利要求7所述的QD发光二极管，其中，所述第二电子控制层的厚度等于或小于所述第一电子控制层的厚度。

9.根据权利要求7所述的QD发光二极管，其中，所述第一电子控制层和所述第二电子控制层的每一个的材料与所述第一电子辅助层和所述第二电子辅助层的每一个的材料具有折射率差异。

10.根据权利要求1所述的QD发光二极管，其中，所述第一电子控制层具有比所述第一电子传输层高的LUMO能级。

11.一种量子点(QD)发光显示装置，包括：

基板；

QD发光二极管，在所述基板的上方；以及

薄膜晶体管，在所述基板和所述QD发光二极管之间并连接到所述QD发光二极管，

其中所述QD发光二极管包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；

QD发光材料层，在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括QD；

空穴传输层，在所述第一电极和所述QD发光材料层之间，并且包括第一空穴传输材料；

第一电子传输层，在所述QD发光材料层和所述第二电极之间；

第二电子控制层，在所述第一电子传输层和所述第二电极之间并且包括第二空穴传输材料；以及

第二电子传输层，在所述第二电子控制层和所述第二电极之间；以及

第一电子控制层，在所述QD发光材料层和所述第一电子传输层之间，并包括所述第二空穴传输材料。

12.根据权利要求11所述的QD发光显示装置，其中，所述第一空穴传输材料具有第一能带隙，并且所述第二空穴传输材料具有比所述第一能带隙宽的第二能带隙。