[发明专利]核壳量子点、其制备方法、及含其的光电器件和量子点组合物

权利要求书

1.一种核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，制备含有II-VI族纳米团簇的第一溶液，并将提前准备好的量子点与所述第一溶液混合并加热，以使所述II-VI族纳米团簇与所述量子点至少部分发生合金化，以在所述量子点外包覆第一II-VI族壳层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备的所述第一溶液中II族元素与VI族元素的摩尔比大于1，且在所述步骤S1之后，得到第一反应体系，所述制备方法还包括：

步骤S2，将VI族元素前体与所述第一反应体系混合反应，以在所述第一II-VI族壳层外包覆上第二II-VI族壳层，所述II-VI族纳米团簇中VI元素为一种或多种，所述VI族元素前体中的VI族元素与所述II-VI族纳米团簇中的VI元素独立地选自Se和S中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇中II族元素与VI族元素的摩尔比为(5～60)：1。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇的尺寸小于1nm，优选所述量子点的尺寸大于2nm。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇与所述量子点的摩尔比以所述II-VI族纳米团簇不发生自成核为准。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述量子点为核结构或核壳结构，优选所述量子点为InP、CdSe、CdZnSe、CdSeS、CdZnSeS和CdSe/CdS中的任一种。

7.根据权利要求2至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，在280～310℃的条件下制备得到含有所述II-VI族纳米团簇的所述第一溶液；优选地，在所述步骤S1中，在280～310℃的条件下使所述II-VI族纳米团簇与所述量子点至少部分发生合金化，以得到所述第一反应体系；优选地，在所述步骤S2中，在280～310℃的条件下反应形成所述第二II-VI族壳层。

8.根据权利要求2至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述制备方法还包括：

步骤S3，形成包覆所述第二II-VI族壳层表面的第三II-VI族壳层，所述第三II-VI族壳层为二元壳层或三元壳层，优选所述二元壳层为ZnS，所述三元壳层为ZnSeS。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述II-VI族纳米团簇选自ZnS、ZnSe和ZnSeS中的任一种。

10.一种核壳量子点，其特征在于，所述核壳量子点的壳为II-VI族壳层，且所述核壳量子点的荧光发射波长为380～710nm，半峰宽在10～40nm。

11.根据权利要求10所述的核壳量子点，其特征在于，所述核壳量子点选自CdSe/ZnS、CdZnSe/ZnS、CdZnSe/ZnSe、CdSeS/ZnSe、CdSeS/ZnS、CdZnSeS/ZnS、CdZnSeS/ZnSe、InP/ZnSe、InP/ZnS、CdSe/ZnSe、CdSe/CdS/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS和CdSe/ZnSeS中的任一种，优选地，所述II-VI族壳层的厚度为5～20单分子层。

12.根据权利要求10或11所述的核壳量子点，其特征在于，所述核壳量子点选自InP/ZnSe、CdSe/ZnSe中的任一种，所述核壳量子点的荧光发射波长为420～480nm，优选所述核壳量子点的量子效率为50～90％，更优选所述核壳量子点的量子效率为50～100％。