[发明专利]一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法

说明书

本发明涉及一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，其特征是通过固定晶片传送速度，调节A、B靶材的镀膜功率而达到晶片a、b两面的不对称性镀膜；其中晶片a面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率时所需的镀膜量，晶片b面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率且有适当预留量时所需的镀膜量；镀膜保有预留量的晶片b面用于单面刻蚀。优点：晶片a、b两面不对称性镀膜，保有预留量的晶片b面用于单面的微调刻蚀，在晶片达到标称频率时晶片a、b两面的镀膜量极为接近，弥补了单面刻蚀而造成的晶片两面不对称性。在性能上使得晶片具有更好的频率稳定性，更好的DLD特性等优点；同时降低了生产过程中昂贵靶材的损耗。

技术领域

本发明是一种应用于电子元器件晶体制造领域中用于弥补单面刻蚀不称性的镀膜方法，属于石英电子元器件制作的生产技术领域。

背景技术

随着电子信息技术的飞速发展，电子元器件的运用越来越广泛，同时对频率元件的要求也变得越来越高。石英晶体频率元器件也面临着刚高的稳定性、更好的DLD特性等要求。石英晶体元器件的主要工作原理是逆压电效应：在石英晶体两端加上电压，晶体产生形变，应变大小与场强成正比，将电能转化为机械能。常见的晶体振动模式为厚度切变模式。

石英晶体频率元器件的生产过程中，传统的镀膜方式是将A、B靶材功率固定，通过调节晶片的传送速度进行镀膜量控制，镀膜后的晶片a、b两面的镀膜量相同；后道对频率进行精准调制的微调工序的刻蚀工艺受于石英晶体元器件的结构限制，只能对石英晶片的单面进行加工，刻蚀掉晶片单面的部分镀层以达到标称频率，最终达到标称频率的石英晶片的a、b两面的镀层出现较大偏差，不对称性放大，进而影响晶片的厚度切变模式，对成品的频率稳定性、DLD等特性造成不良影响。

发明内容

本发明提出的是一种用于弥补单面刻蚀不对称性的镀膜方法，目的是降低由于微调工序中刻蚀工艺单面刻蚀的局限性而造成的石英晶片两面镀层的不对称性，进而提升石英晶体频率元器件的性能。

本发明的技术解决方案：固定晶片传送速度，调节A、B靶材的镀膜功率对石英晶片a、b两面进行不对称性镀膜；其中晶片a面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率时所需的镀膜量，晶片b面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率且有适当预留量时所需的镀膜量。镀膜保有预留量的晶片b面用于单面刻蚀。

本发明的有益效果：

1）晶片a、b两面不对称性镀膜，保有预留量的晶片b面用于单面的微调刻蚀，在晶片达到标称频率时晶片a、b两面的镀膜量极为接近，弥补了单面刻蚀而造成的晶片两面不对称性。

2）在性能上使得晶片具有更好的频率稳定性，更好的DLD特性等优点，同时降低了生产过程中昂贵靶材的损耗。

附图说明

附图1是镀膜示意图。

附图2是镀膜后晶片示意图。

附图3是定面上架示意图。

附图4是单面刻蚀示意图。

图中a是晶片a面，b是晶片b面，1是A靶材，2是B靶材，3是基座。

具体实施方式

下面结合附图对本发明技术方案进一步说明

固定晶片传送速度，调节A、B靶材的镀膜功率对石英晶片a、b两面进行不对称性镀膜；其中晶片a面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率时所需的镀膜量，晶片b面的镀膜量为在对称镀膜方法下达到标称频率且有适当预留量时所需的镀膜量。镀膜保有预留量的晶片b面用于单面刻蚀。

如附图1所示，镀膜过程中固定石英晶片的传送速度，分别设定A、B两块靶材的功率，石英晶片以固定的速度传送，镀膜完成后如附图2所示：晶片a、b两面分别镀上不同量的镀层，b面镀层保有适当预留量。