[发明专利]钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201911150984.0 申请日: 2019-11-21
公开(公告)号: CN110797157B 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 付刚;黄佳莹;黄吉祥;权其琛 申请(专利权)人: 厦门钨业股份有限公司;福建省长汀金龙稀土有限公司
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057;H01F41/02
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;倪丽红
地址: 361000*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 钕铁硼 磁体 材料 原料 组合 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种钕铁硼磁体材料的制备方法,其特征在于,其包括以下步骤:将钕铁硼磁体材料的原料组合物的熔融液经熔铸、氢破、成形、烧结和时效处理,即可;

以质量百分比计,所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括如下含量的组分:

R’:29.5~32.8%,所述R’包括Pr和Nd;其中,所述Pr≥17.15%;

Al:≥0.5%;

B:0.90~1.2%;

Fe:60~68%;

百分比为占所述钕铁硼磁体材料的原料组合物总质量的质量百分比;

在所述钕铁硼磁体材料的晶间三角区中,Pr和Al的总质量与Nd和Al的总质量的比值≤1.0;

在所述钕铁硼磁体材料的晶界处,Pr和Al的总质量与Nd和Al的总质量的比值≥0.1。

2.如权利要求1所述的钕铁硼磁体材料的制备方法,其特征在于,所述Pr的含量为17.15~30%;

和/或,所述Nd与所述R’的总质量的比值小于0.5;

和/或,所述Nd的含量在15%以下;

和/或,所述R’还包括RH,所述RH为重稀土元素;

和/或,所述Al的含量为0.5~3wt%;

和/或,所述B的含量为0.95~1.2%;

和/或,所述Fe的含量为60~67.515%;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Cu;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Ga;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括N,所述N的种类包括Zr、Nb、Hf或Ti;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Co;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括O;

和/或,所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物还包括Zn、Ag、In、Sn、V、Cr、Mo、Ta和W中的一种或多种。

3.如权利要求2所述的钕铁硼磁体材料的制备方法,其特征在于,所述Pr的含量为17.15%、18.15%、19.15%、20.15%、21.15%、22.85%、23.15%、24.15%、25.15%、26.5%、27.15%或30%;

和/或,所述Nd与所述R’的总质量的比值为0.04~0.44;

和/或,所述Nd的含量为1.5%、2.45%、3.85%、4.05%、4.55%、4.85%、5.85%、6.65%、6.85%、8.35%、11.65%、11.85%、12.85%或13.85%;

和/或,所述RH的种类包括Dy、Tb和Ho中的一种或多种;

和/或,所述RH和所述R’的质量比小于0.253;

和/或,所述RH的含量为0.5~2.7%;

和/或,所述Al的含量为0.5%、0.6%、0.8%、0.9%、1%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、2.1%、2.2%、2.3、2.5%、2.7%、2.8%、2.9%或3%;

和/或,所述B的含量为0.95%、0.96%、0.98%、0.985%、0.99%、1%、1.1%或1.2%;

和/或,所述Fe的含量为60.03%、62.76%、62.96%、63.145%、63.735%、63.885%、63.935%、64.04%、64.265%、64.315%、64.57%、64.735%、64.815%、64.865%、64.97%、64.985%、65.015%、65.065%、65.115%、65.135%、65.265%、65.315%、65.385%、65.515%、65.56%、65.665%、65.715%、65.765%、65.815%、65.85%、65.985%、65.915%、65.9655、65.995%、66.065%、66.115%、66.165%、66.215%、66.315%、66.465%、66.515%、66.665%、66.715%、66.75%、66.815%、66.915%、67.115%、67.215%、67.315、67.4%、67.415%、67.515%;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Cu时,所述Cu的含量为0.1~1.2%;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Ga时,所述Ga的含量在0.45wt%以下;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Zr时,所述Zr的含量为0.05~0.5%;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Co时,所述Co的含量为0.5~3%;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括O时,所述O的含量在0.13%以下;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Zn时,所述Zn的含量为0.01~0.1%;

和/或,当所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物中还包括Mo时,所述Mo的含量为0.01~0.1%。

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