[发明专利]一种纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法在审
申请号: | 201911151225.6 | 申请日: | 2019-11-21 |
公开(公告)号: | CN110842207A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 谷文伟 | 申请(专利权)人: | 谷文伟 |
主分类号: | B22F5/00 | 分类号: | B22F5/00;B22F1/02;C22C1/05;C22C9/00;H01H1/025;H01H1/027 |
代理公司: | 青岛科通知桥知识产权代理事务所(普通合伙) 37273 | 代理人: | 张晓 |
地址: | 266000 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 改性 铜基电 接触 材料 制备 方法 | ||
1.一种纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将配方用量40-60%的铜粉置于无水乙醇中搅拌,得到铜粉悬浊液;
(2)将一定量的间苯二酚-甲醛树脂超声分散在乙醇中,得到纳米碳球前驱体溶液;
(3)将得到的纳米碳球前驱体溶液加入到铜粉悬浊液中继续搅拌,直至无水乙醇挥发殆尽,得到混合粉体;
(4)将得到的混合粉体经过洗涤、干燥后,与配方剩余的铜粉进进行混合,经过压制成型、烧结,将烧结后的复合材料通过热挤压成板材,然后经过轧制、退火处理、冲压后得到触头元件,即为所述的纳米碳球改性铜基电接触材料。
2.如权利要求1所述的纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法,其特征在于:所述压制成型为在350-450Mpa下压制成型。
3.如权利要求1所述的纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法,其特征在于:所述烧结温度为950-970℃,所述烧结时间为0.2-0.8h。
4.如权利要求1所述的纳米碳球改性铜基电接触材料的制备方法,其特征在于:所述轧制的下料量为0.2mm,所述退火处理为440-460℃,保温0.2-1h。
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