[发明专利]一种从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路有效
申请号: | 201911152119.X | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112838854B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 宫志超 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 域到高圧域 逻辑 电平 转换 电路 | ||
1.一种从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,包括输入端反相器和输出端反相器,所述输入端反相器的输入端连接低压域逻辑输入信号端,所述输入端反相器的电源接点连接低压域电源电压端,所述输入端反相器的接地点连接低压域接地端,所述输入端反相器的输出端一路连接第二NMOS管的栅极,另一路通过第二反相器连接第一NMOS管的栅极,所述第一NMOS管的漏极连接第四节点,所述第二NMOS管的漏极连接第三节点,所述第三节点通过第一RC并联电路连接高圧域电源电压端,所述第四节点通过第二RC并联电路连接高圧域电源电压端,所述第四节点连接RS锁存器的复位输入端,所述第三节点连接所述RS锁存器的置位输入端,所述RS锁存器的状态输出端通过所述输出端反相器连接高圧域逻辑输出信号端。
2.根据权利要求1所述的从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,所述RS锁存器包括第三与非门电路和第四与非门电路,所述第三与非门电路的第一输入端为所述复位输入端,所述第四与非门电路的第二输入端为所述置位输入端,所述第三与非门电路的第二输入端连接所述第四与非门电路的输出端,所述第四与非门电路的第一输入端连接所述第三与非门电路的输出端,所述第四与非门电路的输出端为所述RS锁存器的状态输出端。
3.根据权利要求2所述的从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,所述第三与非门电路的电源接点和所述第四与非门电路的电源接点均连接高圧域电源电压端,所述第三与非门电路的接地点和所述第四与非门电路的接地点均连接高圧域接地端,所述输出端反相器的电源接点连接高压域电源电压端,所述输出端反相器的接地点连接高压域接地端。
4.根据权利要求3所述的从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,所述高圧域接地端通过第一二极管连接所述第四节点,所述高圧域接地端通过第二二极管连接所述第三节点。
5.根据权利要求1所述的从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,所述第一RC并联电路包括第一电阻和与所述第一电阻并联的第三电容,所述第二RC并联电路包括第二电阻和与所述第二电阻并联的第四电容。
6.根据权利要求1所述的从低压域到高圧域的逻辑电平转换电路,其特征在于,所述第二反相器的电源接点连接低压域电源电压端,所述第二反相器的接地点连接低压域接地端,所述第二反相器的输出端连接第四NMOS管的栅极,所述第四NMOS管的源极连接低压域接地端,所述第四NMOS管的漏极通过第一节点连接所述第二NMOS管的源极,所述第一节点通过第一电容连接低压域接地端,所述输入端反相器的输出端连接第三NMOS管的栅极,所述第三NMOS管的源极连接低压域接地端,所述第三NMOS管的漏极通过第二节点连接所述第一NMOS管的源极,所述第二节点通过第二电容连接低压域接地端。
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