[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201911152575.4 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110931524A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
发明(设计)人: | 袁伟 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,所述显示面板包括阵列基板、第一电极层、导电层、发光层以及第二电极层。所述显示面板的制备方法包括阵列基板提供步骤、第一电极层制备步骤、导电层制备步骤、发光层制备步骤以及第二电极层制备步骤。本发明的技术效果在于,导电层可降低第一电极层与金属层之间的势垒差距,有效增强电子的注入效果。
技术领域
本发明涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
喷墨印刷量子点发光二极管(Ink-Jet Printing QLED,IJP QLED)是一种新型显示技术,其拥有LCD技术无法比拟的物理优势,具有主动发光,色彩真实,无限对比度,零延迟,透明显示、柔性显示、显示形态自由等特性,是可以替代液晶显示技术的下一代显示技术。
IJP QLED显示技术由于不需要背光的支持,结构较LCD更为简单,显示产品体积可以做到更轻薄,色彩饱和度更高。除此之外,由于量子点材料具有窄带隙发光等特点,因此其色彩饱和度更高,应用于显示产品,其色域表现较液晶显示产品和QLED显示产品更高,并且由于QLED器件是全固态、非真空器件,具有抗震荡、耐低温(-40℃)等特性,因此应用范围十分广泛。
发明内容
本发明的目的在于,解决现有技术的显示面板中电子注入困难、面板压降导致的显示画面亮度不均以及影像残余等技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板,包括:阵列基板;第一电极层,设于所述阵列基板一侧的表面;导电层,设于所述第一电极层远离所述阵列基板一侧的表面;发光层,设于所述导电层远离所述第一电极层一侧的表面;以及第二电极层,设于所述发光层远离所述导电层一侧的表面。
进一步地,所述导电层的材质为金属;所述金属包括银、铝、金、铜、铂、钼、钛中的至少一种。
进一步地,所述第一电极层包括:第一电极,设于所述阵列基板一侧的表面;反射电极,设于所述第一电极远离所述阵列基板一侧的表面;以及第二电极,设于所述反射电极远离所述第一电极一侧的表面。
进一步地,所述发光层为量子点发光层。
进一步地,所述显示面板还包括:空穴传输层,设于所述发光层远离所述导电层一侧的表面;以及空穴注入层,设于所述空穴传输层与所述第二电极层之间。
进一步地,所述显示面板还包括:光耦合层,设于所述第二电极层远离所述发光层一侧的表面。
进一步地,所述显示面板还包括:金属层,设于所述导电层与所述发光层之间。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示装置,包括如前文所述的显示面板。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,包括以下步骤:阵列基板设置步骤,设置一阵列基板;第一电极层制备步骤,在所述阵列基板的上表面制备出第一电极层;导电层制备步骤,在所述第一电极层的上表面制备出导电层;发光层制备步骤,在所述导电层的上表面制备出发光层;以及第二电极层制备步骤,在所述发光层的上表面制备出第二电极层。
进一步地,在所述导电层制备步骤中,采用喷墨打印的方式在所述第一电极层的上表面打印一层金属材料。
本发明的技术效果在于,在第一电极层与金属层之间增加导电层,有效降低所述第一电极层与所述金属层之间的势垒差距,有效增强电子的注入效果。采用喷墨打印的方式制备所述导电层,可提高喷射材料的使用率,有效降低显示面板的制作成本。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例所述显示面板的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的