[发明专利]一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法在审

专利信息
申请号: 201911152836.2 申请日: 2019-11-22
公开(公告)号: CN110846643A 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 颜炎洪;李杨;陈陶;徐衡;王成迁;李守委;朱召贤 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: C23C18/32 分类号: C23C18/32;C23C18/42;H01L23/10
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 增强 平行 封装 可靠性 方法
【权利要求书】:

1.一种增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,包括:

对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗;

将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干;

陶瓷封装器件烘干后放入化镀池中进行金属再化镀形成抗腐蚀层;

去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干。

2.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,对完成平行缝焊的陶瓷封装器件进行预清洗包括:

将平行缝焊好的陶瓷封装器件放入去离子水中进行超声预清洗,时间为10分钟。

3.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,所述光刻胶为正性胶或负性胶。

4.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,将陶瓷封装器件中无需再化镀的部分涂上光刻胶并烘干包括:

将涂上光刻胶的陶瓷封装器件放入无氧固化烘箱中进行烘干固化处理,烘干的温度为80-150℃,烘干时间为2h。

5.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,去除陶瓷封装器件上的光刻胶并清洗烘干包括:

使用去胶液对化镀好的陶瓷封装器件进行去胶处理,去胶时间为30分钟;

将处理好的陶瓷封装器件在去离子水中进行超声清洗并烘干。

6.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,所述抗腐蚀层为单一镍层、单一金层或者镍层和金层的交替层;

所述抗腐蚀层为镍层和金层的交替层时,镍层为内层,金层为最外层。

7.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,通过改变化镀工艺得到不同致密性的镍层,使镀层孔隙错位,减少腐蚀的通道,以避免在盐雾环境下形成微电池的腐蚀通道。

8.如权利要求1所述的增强平行缝焊封装盐雾可靠性的方法,其特征在于,所述抗腐蚀层为单一镍层、单一金层或者镍层和金层的交替层时,镍层厚度均为0.1-10μm,金层厚度均为0.01-2μm。

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