[发明专利]一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法有效
申请号: | 201911153346.4 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN110993507B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 周轶靓;贺贤汉;戴洪兴;王斌;阳强俊;陈天华 | 申请(专利权)人: | 江苏富乐德半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/13 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 224200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 陶瓷 母板 方法 | ||
1.一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:具体步骤如下:对长方形母板正反两面进行曝光、显影、蚀刻后,正反两面的左右两条长边边缘形成有长铜箔工艺边,正反两面的上下两条短边边缘形成有短铜箔工艺边,中间部位形成有多个图形单元;
所述短铜箔工艺边上于面向图形单元一边上开多个缺口;所述多个缺口分别纵向对应图形单位与长铜箔工艺边之间的间隙、相邻图形单元之间的间隙和图形单位内部开设的纵向间隙。
2.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为半圆形,半圆形缺口半径R≤4mm。
3.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为拱形,拱形缺口宽度b≤3mm,长度L≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
4.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为梯形,梯形缺口顶边宽度b≤3mm,底边宽度d≤3b,高度h≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
5.根据权利要求1所述的一种减少覆铜陶瓷基板母板翘曲的方法,其特征在于:所述缺口为T形,T形缺口宽度b≤3mm,长度L≤3b,高度h≤a/3,a为短铜箔工艺边宽度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏富乐德半导体科技有限公司,未经江苏富乐德半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911153346.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造