[发明专利]一种OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED器件，其特征在于，包括

相对设置的彩膜基板和阵列基板；以及

封装结构，包括

第一阻水结构，覆于所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面；

第二阻水结构，覆于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面；

封装胶层，封装于所述彩膜基板和所述阵列基板之间且包覆所述第一阻水结构和所述第二阻水结构。

2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，

所述第二阻水结构包括两层阻水层和设于两层所述阻水层之间的缓冲层。

3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，

所述彩膜基板包括

第一衬底；

色阻层，设于所述第一基板上；

阻挡层，设于所述色阻层上；

量子层，设于所述阻挡层上；

所述第一阻水结构覆盖所述色阻层和所述量子层并延伸至所述第一衬底上。

4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，

所述色阻层包括若干色组单元和围绕所述色阻单元的遮光层；

所述量子层包括量子点单元和围绕所述量子点单元的像素定义层，其中，所述量子点单元与所述色阻单元对应。

5.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述阵列基板包括

第二衬底；

薄膜晶体管结构层，设于所述第二衬底上；

OLED层，设于所述薄膜晶体管结构层上；

所述第二阻水结构覆盖所述OLED层并延伸至所述薄膜晶体管结构层上。

6.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述封装结构的材料为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化铝中的至少一种。

7.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括彩膜基板和阵列基板的制备方法以及封装方法，其中所述封装方法包括

在所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面沉积第一阻水结构；

在所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面沉积第二阻水结构；

将封装胶材贴附于彩膜基板朝和所述阵列基板上，通过加热或加压使封装胶材固化形成封装胶层。

8.根据权利要求7所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述彩膜基板的制备方法包括：

提供第一基板；

在所述第一基板制备第一衬底；

在所述第一衬底制备色阻层，包括制备若干色阻单元的围绕所述色阻单元的遮光层；

在所述色阻层上制备阻挡层，所述阻挡层覆盖所述色阻层；

在所述阻挡层上制备量子层，包括在所述阻挡层上制备像素定义层，在所述像素定义层对应所述色组单元处开设像素开孔，在所述像素开孔内通过喷墨打印制备量子点单元，每一量子点单元均对应一色阻单元；

在所述量子层上制备第一阻隔层，所述第一阻水结构覆盖所述量子层和所述色阻层。

9.根据权利要求8所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述阵列基板的制备方法包括：

提供第二基板；

在所述第二基板上制备第二衬底；

在所述第二衬底上制备薄膜晶体管结构层；

在所述薄膜晶体管结构层通过喷墨打印方式制备OLED层。

10.根据权利要求9所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，

所述封装方法具体步骤包括：

第一阻水结构制备步骤：

在所述色阻层上沉积一层无机材料，所述无机材料覆盖所述色阻层和所述量子层并延伸至所述第一衬底上形成所述第一阻水结构；

第二阻水结构制备步骤：

在所述OLED层上沉积一层无机材料，所述无机材料覆盖所述OLED层并延伸至所述第二衬底形成第一阻水层；

在所述第一阻水层上制备一层缓冲层，在所述缓冲层上沉积一层无机材料，所述无机材料覆盖所述第一阻水层并延伸至所述第二衬底上形成第二阻水层，所述第一阻水层、缓冲层和第二阻水层结合形成所述第二阻水结构；

封装胶层制备步骤：

通过真空贴合技术将封装材料的一端自所述第二阻水结构远离所述第二衬底一侧向所述第二衬底方向挤压，通过加热加压方式将所述封装材料的一端完全贴合于所述第二衬底；

通过真空贴合技术将封装材料远离所述第二衬底一侧贴压至所述第一衬底；将所述第一衬底与所述第一基板切割分离，并在所述第一衬底远离所述色阻层一侧贴附一层第一保护层；

将所述第二衬底与所述第二基板切割分离，并在所述第二衬底远离所述薄膜晶体管结构层一侧贴附一层第二保护层。