[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1. 一种用于制造半导体器件的方法，其具有：

通过半导体本体（102）的第一表面（104）将至少一种第一掺杂剂引入到所述半导体本体（102）中；并且然后

实施一次或多次质子注入；

利用基于等离子体的离子注入方法通过第二表面（106）将第二掺杂剂引入到所述半导体本体（102）中，其中所述基于等离子体的离子注入方法利用所述第二掺杂剂和氢构成的复合物作为工艺气体来实施。

2.根据权利要求1所述的方法，还具有：

在通过第一表面（104）引入所述至少一种第一掺杂剂之后并且在引入所述第二掺杂剂之前，从所述第二表面（106）减薄所述半导体本体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述减薄包括机械减薄。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在机械减薄之后，通过蚀刻所述半导体本体（102）来减薄。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在引入所述第二掺杂剂之后，在300℃至420℃范围内的温度下实施热退火工艺。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述热退火工艺的持续时间是10分钟至5小时。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述热退火工艺是在完成所述半导体器件之前，以420℃的最高温度对所述半导体本体（102）进行的最后热处理。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中用于引入所述第二掺杂剂的基于等离子体的离子注入方法设置在用于通过所述第一表面（104）将所述至少第一掺杂剂引入到所述半导体本体（102）中的所有过程的下游。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半导体器件是IGBT，绝缘栅双极晶体管。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述工艺气体具有B₂H₆。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述半导体器件是IGFET，绝缘栅场效应晶体管或二极管。

12.根据权利要求1至8或11中任一项所述的方法，其中所述工艺气体具有PH₃或AsH₃中的至少一种。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基于等离子体的离子注入方法的注入能量被设定在0.5keV与30keV之间。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还具有：

形成n掺杂的场终止区（118），其中以不同的注入能量实施至少两次质子注入，并且将所注入的质子热激活为氢相关的供体。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在利用基于等离子体的离子注入方法引入所述第二掺杂剂之后，在所述第二表面（106）上形成扩散势垒。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中在利用基于等离子体的离子注入方法引入所述第二掺杂剂之前，在所述第二表面（106）上形成注入掩模，所述注入掩模用作基于等离子体的离子注入方法的注入掩模。

17.一种半导体器件（101），其具有：

在具有相对的第一和第二表面（104、106）的半导体本体（102）中的第一导电类型的漂移区（116）；

在所述漂移区（116）和所述第二表面（106）之间的第一导电类型的掺杂的场终止区（118），其中通过根据前述权利要求中任一项所述的方法引入第二掺杂剂来制造所述场终止区（118）。

18.根据权利要求17所述的半导体器件（101），还具有：

第一表面（104）上的第一负载端子（L1）；

第二表面（106）上的第二负载端子（L2）；和

其中所述半导体器件是被配置为在第一负载端子（L1）和第二负载端子（L2）之间传导大于1A的负载电流的功率半导体器件。