[发明专利]一种偏振可调谐太赫兹波辐射源

权利要求书

1.一种偏振可调谐太赫兹波辐射源，其特征在于，包括金属密闭腔以及置于所述金属密闭腔内的飞秒激光光源、第一级自旋发射器、第二级自旋发射器和相位补偿调节装置；所述第一级自旋发射器包括第一级纳米铁磁薄膜和第一级外加磁场，所述第二级自旋发射器包括第二级纳米铁磁薄膜和第二级外加磁场；

所述飞秒激光光源输出的飞秒激光射入所述第一级纳米铁磁薄膜，产生线偏振态的第一级太赫兹波，剩余的飞秒激光与产生的第一级太赫兹波共同经过所述两级纳米铁磁薄膜间的所述相位补偿调节装置之后，所述剩余的飞秒激光超前入射到所述第二级纳米铁磁薄膜上，产生线偏振态的第二级太赫兹波；其中，通过所述相位补偿调节装置调节实现两级太赫兹波的相位差为90°；通过调节两级外加磁场实现两级太赫兹波的偏振态相互垂直；通过调制飞秒激光的泵浦功率，实现两级太赫兹波的振幅相同；

所述金属密闭腔内充有压强可控的稀薄气体，所述相位补偿调节装置包括一对离轴抛物面镜和形成于所述一对离轴抛物面镜之间的气体柱，通过调节所述金属密闭腔内的气体压强来调节所述气体柱的压强，并且通过调节所述一对离轴抛物面镜之间的距离来调节所述气体柱的长度，实现两级太赫兹波的相位差为90°。

2.根据权利要求1所述的偏振可调谐太赫兹波辐射源，其特征在于，两级纳米铁磁薄膜结构相同，各纳米铁磁薄膜是通过磁控溅射的方法生长在石英衬底上形成的W/CoFeB/Pt三层纳米厚的异质结薄膜。

3.根据权利要求2所述的偏振可调谐太赫兹波辐射源，其特征在于，所形成的W/CoFeB/Pt三层纳米厚的异质结薄膜中，W、CoFeB、Pt单层厚度均为1.8nm，纳米铁磁薄膜的总厚度为5.4nm。

4.根据权利要求1所述的偏振可调谐太赫兹波辐射源，其特征在于，通过固定第一级外加磁场，同时改变第二级外加磁场来实现两级太赫兹波的偏振态相互垂直。

5.根据权利要求1所述的偏振可调谐太赫兹波辐射源，其特征在于，还包括太赫兹偏振片、太赫兹能量探测器和电光采样器，实现对产生的圆偏振太赫兹辐射进行偏振探测和检偏。